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Ga2O3方形基板-株式会社豊港

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型番説明

10×5mm, 10×10.5mm, 10×15mm,

全型番で同じ値の指標

結晶方位

(100)

転位密度

<1×10^5 cm-2

厚み

0.5 (±0.02) mm

表面

片面ミラー/両面ミラー Ra < 0.5 nm 结晶面偏差 < ±1°

この製品について

酸化ガリウムは、高耐圧および低オン抵抗特性を活かし、パワーエレクトロニクスデバイスとして幅広く応用されています。電気自動車、太陽光発電インバータ、高速鉄道送電などがあり、その他の分野でも潜在的な可能性があります。 酸化ガリウムの禁制帯幅は4.85eVに達し、可視光波域の透過率が優れています。これにより、ソーラーブラインド紫外線探査、放射線探査などの分野に応用できます。酸化ガリウム単結晶とGaNの低不整合特性を活かし、5G通信において応用が期待されている高性能高周波デバイスを製造するためのGaNの成長に活用されています。

■ドーピング:UID、Sn、Mg/Fe

Nd-Na/抵抗率:10^16~10^17 cm-3、>10^18 cm-3、≥10^10 Ω·cm

  • 型番

    Ga2O3方形基板

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Ga2O3方形基板 Ga2O3方形基板の性能表

商品画像 価格 (税抜) 結晶方位 転位密度 厚み 表面
Ga2O3方形基板-品番-Ga2O3方形基板 要見積もり (100) <1×10^5 cm-2 0.5 (±0.02) mm 片面ミラー/両面ミラー
Ra < 0.5 nm
结晶面偏差 < ±1°

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