大型基板用PECVD COPRA Linear Sources-COPRA Linear Sources

大型基板用PECVD COPRA Linear Sources
株式会社スパッタリングコンポーネンツジャパン

無料
見積もり費用は無料です、お気軽にご利用ください

電話番号不要
不必要に電話がかかってくる心配はありません

この製品について

■特徴・パワーレベルに比例したイオンエネルギーの上昇が無い為、基板ダメージが少ない
・適用真空範囲が、1ｘ10-4から1ｘ10-1 mbarと広い為、スパッタ装置との融合が行いやすい
・基板幅、3m級の大型基板への適用が可能な為、建築 (Low-E) 、FPD、太陽電池で採用多数
・10nm/秒レベルまでの高速成膜が可能

■成膜例・SiO2
・Si3N4
・Al2O3
・DLC (a-D:H) 
・a-Si, u-Si

■適用例・光学膜：光学多層膜、スパッタリングや電子銃成膜のアシスト
・太陽電池：反射防止膜、保護膜、吸収層、バリヤ膜
・ディスプレイ：OLED有機層封止膜、透明電極膜、透明保護膜
・ハードディスク：TMRバリヤ、カーボン保護膜
・半導体：ケミカルエッチング、物理的エッチング
・大型基板：機能性酸化膜、バリヤ膜
・ハードコート及び装飾膜：DLC、酸化膜、窒化膜
・パッケージング：ロールトゥーロールでのフィルム基板へのバリヤ膜
・高いパワーを投入しても、イオンエネルギーが上昇しない為、基板へのダメージを最小限に抑える事が可能となります。