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この製品について

■特徴

・パワーレベルに比例したイオンエネルギーの上昇が無い為、基板ダメージが少ない ・適用真空範囲が、1ｘ10-4から1ｘ10-1 mbarと広い為、スパッタ装置との融合が行いやすい ・基板幅、3m級の大型基板への適用が可能な為、建築 (Low-E) 、FPD、太陽電池で採用多数 ・10nm/秒レベルまでの高速成膜が可能

■成膜例

・SiO2 ・Si3N4 ・Al2O3 ・DLC (a-D:H) ・a-Si, u-Si

■適用例

・光学膜：光学多層膜、スパッタリングや電子銃成膜のアシスト ・太陽電池：反射防止膜、保護膜、吸収層、バリヤ膜 ・ディスプレイ：OLED有機層封止膜、透明電極膜、透明保護膜 ・ハードディスク：TMRバリヤ、カーボン保護膜 ・半導体：ケミカルエッチング、物理的エッチング ・大型基板：機能性酸化膜、バリヤ膜 ・ハードコート及び装飾膜：DLC、酸化膜、窒化膜 ・パッケージング：ロールトゥーロールでのフィルム基板へのバリヤ膜 ・高いパワーを投入しても、イオンエネルギーが上昇しない為、基板へのダメージを最小限に抑える事が可能となります。

  • シリーズ

    大型基板用PECVD COPRA Linear Sources

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