GaNトランジスター
株式会社タイワン・セミコンダクター

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この製品について

GaNパワー台湾セミコンダクターは、5×6 および 8×8 mm の小型フットプリントで熱効率の高い PDFN パッケージにパッケージされた 650V エンハンスメント モード GaN トランジスタを発表しました。これらの GaN トランジスタ製品は、今日の高出力システムの要件を満たし、より高い動作電流、より高い効率、より小型でより軽量なサイズを実現します。産業および再生可能エネルギー業界向けに特別に開発されたこのトランジスタは、生産されている GaN の中で最高電流を誇ります。スイッチングデバイス

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
GaNトランジスター

取扱企業
株式会社タイワン・セミコンダクター

カテゴリ

トランジスタ

パワートランジスタ

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GaNトランジスター品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	パッケージ	MSL	AEC-Q	VDS (V)	VGS (V)	ID Max. (A)	VGS (th) 最小値 (V)	VGS (th) 標準値 (V)	VGS (th) 最大値 (V)	Ciss (pF)	Coss (pF)	Crss (pF)	TJ Max. (°C)	RDS (ON) @ 6V 標準 (mΩ)	RDS (ON) @ 6V 最大 (mΩ)	Qg (nC) @ 6V	Qoss (nC)	Qrr (nC)	RoHS適合	ハロゲンフリー標準	はんだ付け性標準	端子仕上げ	製品重量 (g)	難燃性評価
	TSG65N068CE	要見積もり	PDFN88	該当なし	対象外	650	-10 to +7	30	1.1	1.7	2.6	235	60	0.6	150	50	68	6.7	61	0	適合	IEC 61249-2-21	J-STD-002	マットスズ	0.153	UL 94 V-0