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オン・セミコンダクター株式会社

トランジスタアレイ
メーカー15社 【2025年】

トランジスタアレイについての概要、用途、原理などをご説明します。また、トランジスタアレイのメーカー15社一覧企業ランキングも掲載しておりますので是非ご覧ください。トランジスタアレイ関連企業の2025年2月注目ランキングは1位:三菱電機株式会社、2位:ローム株式会社、3位:ルネサスエンジニアリングサービス株式会社となっています。

目次


トランジスタアレイの取り扱い企業にまとめて見積もりできます!

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返答率96%以上

96%以上の方がメーカーから返答を受け取っています

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トランジスタアレイメーカー 15社

*一部商社などの取扱い企業なども含みます。

トランジスタアレイ 2025年2月のメーカーランキング

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38 点の製品がみつかりました

38 点の製品

1

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

Power MOSFET (Si/SiC)

430人以上が見ています

最新の閲覧: 5時間前

返信の比較的早い企業

100.0% 返答率

25.4時間 返答時間

■概要 エンジニアや自動車メーカーは、インフィニオンの車載用パワーMOSFETなどの高品質製品を使用することで、MOSFET関連の故障を最小限に抑えることができ...

6種類の品番

車載用MOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
Pチャネル パワーMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
250V~600V小信号/小型パワーMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
60V~600V NチャネルディプリーションモードMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
デュアルMOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)
SiC (炭化ケイ素) CoolSiC™MOSFET-Power MOSFET (Si/SiC)

2

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

パワー 窒化ガリウム (GaN)

390人以上が見ています

最新の閲覧: 6時間前

返信の比較的早い企業

100.0% 返答率

25.4時間 返答時間

■CoolGaN™:民生用、産業用、車載用アプリケーションにおいて、最高の効率と電力密度を実現するディスクリートおよび統合ソリューション インフィニオンのGaN...

3種類の品番

IGO60R070D1-パワー 窒化ガリウム (GaN)
IGOT60R070D1-パワー 窒化ガリウム (GaN)
IGLD60R190D1-パワー 窒化ガリウム (GaN)

3

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

310人以上が見ています

最新の閲覧: 6時間前

返信の比較的早い企業

100.0% 返答率

25.4時間 返答時間

■インフィニオンの車載および産業用アプリケーション向けのローサイドおよびハイサイドスマートパワースイッチの包括的かつ革新的なポートフォリオ スマート...

2種類の品番

ハイサイドスイッチ-パワー インフィニオンスマートパワースイッチ
Multichannel SPI Switches & Controller-パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

4

二松電気株式会社

ダイオード、トランジスタ、MOSFET

210人以上が見ています

最新の閲覧: 8時間前

返信のとても早い企業

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0.4時間 返答時間

Comchip Technology (コムチップ テクノロジー) は、2000年に設立された台湾のダイオード、トランジスタのメーカーです。革新的な研究と特許取得済みの製造能...


5

二松電気株式会社

アナログIC MOSFET トランジスタ ダイオード

200人以上が見ています

返信のとても早い企業

100.0% 返答率

0.4時間 返答時間

ユニソニック テクノロジー (UTC) は1990年に設立された、台湾のアナログ IC およびディスクリート デバイスのメーカーです。ISO9001、ISO14001、IATF16949シ...


6

二松電気株式会社

トランジスタ、ダイオード

190人以上が見ています

返信のとても早い企業

100.0% 返答率

0.4時間 返答時間

Willas Electronic Corp. (威倫電子) は、1982年に設立された台湾のトランジスタ、ダイオードのメーカーです。整流ダイオード、ブリッジ、ショットキーダイオ...


7

イサハヤ電子株式会社

IGBTゲートプリドライバ 高機能複合トランジスタ RT8H255C

170人以上が見ています

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5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

0.7時間 返答時間

RT8H255Cは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、抵抗により構成された複合トランジスタです。このトランジスタのご使用により、セットの小型化、部品及び工...


8

日清紡マイクロデバイス株式会社

18mΩ オン抵抗 3A ロードスイッチIC R5543シリーズ

160人以上が見ています

最新の閲覧: 6時間前

返信の早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

8.5時間 返答時間

R5543シリーズは、2電源タイプのCMOSのロードスイッチICです。降圧DC/DCコンバータの出力などの二次電源ラインの分配に最適な製品です。Typ. 18 mΩの低オン抵...


9

イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 高電圧スイッチ用 RT3C88M

150人以上が見ています

最新の閲覧: 9時間前

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5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

0.7時間 返答時間

RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅な削減が可能となりま...


10

敬誠株式会社

複合デジタルトランジスタ

150人以上が見ています

最新の閲覧: 6時間前

返信の早い企業

100.0% 返答率

10.0時間 返答時間

■特徴 ・超小型複合デジタルトランジスタ ・分圧型 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠


11

敬誠株式会社

複合バイポーラトランジスタ

150人以上が見ています

最新の閲覧: 6時間前

返信の早い企業

100.0% 返答率

10.0時間 返答時間

■特徴 ・超小型複合バイポーラトランジスタ ・パワーマネージメント用 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠 ・用途:パワーマ...


12

イサハヤ電子株式会社

シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M

140人以上が見ています

最新の閲覧: 1日前

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0.7時間 返答時間

RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...


13

イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M

140人以上が見ています

最新の閲覧: 1日前

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5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

0.7時間 返答時間

RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=160V ・ペア...


14

イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1

140人以上が見ています

最新の閲覧: 1日前

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5.0 会社レビュー

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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減...


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イサハヤ電子株式会社

トランジスタアレイ MOS型電界効果トランジスタ (MOS-FET) INJ0002AC1

140人以上が見ています

最新の閲覧: 1時間前

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100.0% 返答率

0.7時間 返答時間

■概要 INJ0002AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機...


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マリックス株式会社

ルネサスエレクトロニクス製品 パワーMOSFET

130人以上が見ています

最新の閲覧: 18時間前

返信の早い企業

100.0% 返答率

10.5時間 返答時間

電源・モータ駆動・高周波増幅・ロードスイッチなど各用途に適した製品を展開しています。民生機器・自動車機器の各信頼性レベルに合わせて製品化しております。


17

イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M-T150

130人以上が見ています

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0.7時間 返答時間

RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=160V ・ペア...


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トレックス・セミコンダクター株式会社

負荷スイッチ XC8112 シリーズ

130人以上が見ています

最新の閲覧: 21時間前

■理想ダイオード機能搭載 2ch ロードスイッチ IC XC8112シリーズは理想ダイオード機能搭載 2chのロードスイッチICです。本ICはVOUT端子電圧をVIN-20mVとなる...


19

イサハヤ電子株式会社

シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M-T150

120人以上が見ています

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

0.7時間 返答時間

RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...


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株式会社タイワン・セミコンダクター

GaNトランジスター

120人以上が見ています

GaNパワー台湾セミコンダクターは、5×6 および 8×8 mm の小型フットプリントで熱効率の高い PDFN パッケージにパッケージされた 650V エンハンスメント モー...


22

イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1-T150

110人以上が見ています

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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減...


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イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2A00AM1

110人以上が見ています

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5.0 会社レビュー

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RT2A00AM1は、PNPトランジスタ ISA1235AC1を2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削...


24

イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M-T150

110人以上が見ています

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

0.7時間 返答時間

RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が...


26

イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M

100人以上が見ています

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

0.7時間 返答時間

RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が...


27

東和電子株式会社

バイポーラートランジスター 異品種混載複合デバイス

90人以上が見ています

最新の閲覧: 12時間前

返信の早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

12.0時間 返答時間

MOSFETとダイオード、トランジスターとダイオードなどを小型のパッケージに搭載した製品群をラインアップしております。高密度実装に最適です。 ■製品概要 R...


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WIN SOURCE ELECTRONICS

個別半導体製品 FET - アレイ

50人以上が見ています

最新の閲覧: 22時間前

返信の比較的早い企業

100.0% 返答率

27.3時間 返答時間

■概要 電界効果トランジスタ (FET) アレイは、複数のFETを1つのパッケージに統合したもので、さまざまな電子アプリケーションにコンパクトで効率的なソリュー...


29

WIN SOURCE ELECTRONICS

個別半導体製品 IGBT - アレイ

40人以上が見ています

最新の閲覧: 3時間前

返信の比較的早い企業

100.0% 返答率

27.3時間 返答時間

■概要 アレイ形式の絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) は、高電力および高周波アプリケーションを管理する上で重要です。これらのコンポーネントは...


30 新着

MPSジャパン合同会社

省電力 Xコンデンサ ブリーダ HF81

20人以上が見ています

返信の比較的早い企業

100.0% 返答率

15.6時間 返答時間

■概要 HF81は、電力損失を排除し、電源が安全規格に準拠するようにしながら、Xコンデンサを自動的に放電する革新的な2端子ICです。HF81は、放電抵抗器 (また...


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