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トランスミッター内蔵センサーシリーズ ビジファーム DO ECS 光学式溶存酸素測定センサー取扱企業
株式会社ティ・アンド・シー・テクニカルカテゴリ
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次の条件に該当する商品を10件表示しています
商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | シャフト長 | モデル | DO測定温度範囲 | 使用温度範囲 | プロセス圧力 | 測定範囲 | 測定単位 | 精度 | 応答時間 | 測定限界値 | 測定誤差 | 電気的接続 | 動作電源電圧 | 連続消費電力 | アナログ出力 | デジタルインターフェース | 洗浄滅菌性能 | 測定原理 | 流量規定 | 接液部 | 出荷時状態 | 形状及び取り付け形状 | 保守部品 | 保管温度 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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243666-211 |
要見積もり |
120mm |
H0モデル (シリコン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
|
![]() |
243666-221 |
要見積もり |
160mm |
H0モデル (シリコン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
|
![]() |
243666-231 |
要見積もり |
215mm |
H0モデル (シリコン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
|
![]() |
243666-241 |
要見積もり |
325mm |
H0モデル (シリコン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
|
![]() |
243666-251 |
要見積もり |
425mm |
H0モデル (シリコン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
|
![]() |
243666-212 |
要見積もり |
120mm |
H2モデル (テフロン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
|
![]() |
243666-222 |
要見積もり |
160mm |
H2モデル (テフロン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
|
![]() |
243666-232 |
要見積もり |
215mm |
H2モデル (テフロン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
|
![]() |
243666-242 |
要見積もり |
325mm |
H2モデル (テフロン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
|
![]() |
243666-252 |
要見積もり |
425mm |
H2モデル (テフロン製) |
-10℃~+85℃ |
-10℃~+140℃ |
-0.1~1.2MPa |
4ppb~25ppm 分解能:0.1ppb (0~62.85%-vol , 0~300%-sat) |
% 酸素/空気 飽和濃度 (%-sat.) 、%体積比酸素濃度 (%-vol.) 、mg/L (ppm) 、μg/L (ppb) |
1±0.05%-vol , 21±0.2%-vol , 50±0.5%-vol (25℃) |
大気から無酸素状態へ (25℃) : |
0.01%-vol. |
1%/週以下 (温度一定のとき) |
VP8.0ソケットヘッド |
7~30VDC 最大1000mW |
0.6W 起動時消費電力:1W |
4-20mA (測定値) |
ModbusRTUプロトコル |
CIP、SIP、オートクレーブに対応 |
光学式 |
無し |
SUS316L (DIN1.4435) 、EPDM (FDA) 、シリコンまたはテフロン (FDA) |
校正済みです。取り付けと同時に測定可能 |
シャフトの直径 12mm、取り付けネジ PG13.5 |
蛍光膜交換キャップ |
-10℃~+50℃ |
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分解能: 0 - 0.1ppb
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測定範囲 mg/L
0 - 1 1 - 10 10 - 20 20 - 50 50 - 100精度 mg/L
0 - 0.1 0.1 - 0.5 0.5 - 1 1 - 2測定原理
ウィンクラー法 ポーラログラフ式 隔膜型ガルバニ電池式 蛍光クエンチング 蛍光式 光学式 半導体応答時間 秒
0 - 30 30 - 60 60 - 120使用温度範囲 ℃
-20 - 0 0 - 50 50 - 60 60 - 140電源 V
1 - 10 10 - 30 30 - 100 100 - 250保護等級
IP57 IP64 IP65 IP67 IP68 日常防水分解能 ppb
0 - 0.1 0.1 - 1 1 - 10 10 - 100シャフト長 mm
0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500