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■特長

MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホール (正孔) をN-層に注入することで、抵抗値を低下させる電導度変調を利用してMOSFETの高耐圧化に伴う弱点を克服しています。MOSFETより低速となりますが、高耐圧で高速なスイッチングを実現したデバイスです。

■用途

各種インバーター、業務用エアコン、溶接機などの高耐圧の領域に使われています。

  • シリーズ

    IGBT

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会社概要

株式会社三社電機製作所は、電気機械器具・医療用機械器具・半導体装置の製造・販売を行っている会社です。 1933年3月に三社電機製作所として創業しました。1948年に株式会社三社電機製作所を設立し、2013年には東京証券取...

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  • 本社所在地: 大阪府

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