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この製品について

■特長

MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホール (正孔) をN-層に注入することで、抵抗値を低下させる電導度変調を利用してMOSFETの高耐圧化に伴う弱点を克服しています。MOSFETより低速となりますが、高耐圧で高速なスイッチングを実現したデバイスです。

■用途

各種インバーター、業務用エアコン、溶接機などの高耐圧の領域に使われています。

  • シリーズ

    IGBT

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IGBT-品番-GSA75AA120

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IGBT-品番-GSA100AA60

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コレクタ電流 A

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耐圧 V

500 - 1,000 1,000 - 1,500 1,500 - 2,000 2,000 - 3,000 3,000 - 5,000

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会社概要

株式会社三社電機製作所は、電気機械器具・医療用機械器具・半導体装置の製造・販売を行っている会社です。 1933年3月に三社電機製作所として創業しました。1948年に株式会社三社電機製作所を設立し、2013年には東京証券取...

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