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薄膜コーティング材料 セラミックスパッタリングターゲット セレニド鉛 (PbSe) スパッタリングターゲット-セレニド鉛 (PbSe) スパッタリングターゲット
薄膜コーティング材料 セラミックスパッタリングターゲット セレニド鉛 (PbSe) スパッタリングターゲット-XI'AN FUNCTION MATERIAL GROUP CO.,LTD

薄膜コーティング材料 セラミックスパッタリングターゲット セレニド鉛 (PbSe) スパッタリングターゲット
XI'AN FUNCTION MATERIAL GROUP CO.,LTD



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この製品について

■特性

鉛のセレン化物であるセレン化鉛 (PbSe) 、または鉛 (II) セレン化鉛 (II) は半導体材料である。それはNaCl構造の立方体結晶を形成する。それは室温で0.27eVの直接バンドギャップを持っています。

■申し込み

1.5~5.2μmの波長で動作する、熱イメージング用の赤外線検出器の製造に使用されます。冷却は必要ありませんが、より低い温度でもっと良く機能します。

  • シリーズ

    薄膜コーティング材料 セラミックスパッタリングターゲット セレニド鉛 (PbSe) スパッタリングターゲット

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薄膜コーティング材料 セラミックスパッタリングターゲット セレニド鉛 (PbSe) スパッタリングターゲット 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) CAS 分子式 純度 仕様 EINECS No. モル質量 融点 クリスタル構造
薄膜コーティング材料 セラミックスパッタリングターゲット セレニド鉛 (PbSe) スパッタリングターゲット-品番-セレニド鉛 (PbSe) スパッタリングターゲット

セレニド鉛 (PbSe) スパッタリングターゲット

要見積もり

12069-00-0

PbSe

99.99%

3インチDIA X 0.25インチTH.ETC

235-109-4

286.16g / mol

1,078℃ (1,972°F; 1,351 K)

ハロイト (立方体) 、CF8

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使用用途

#ウエハ製造 #フォトリソグラフィー #エッチング #薄膜形成 #ドーピング #CMP研磨 #半導体製造 #精密機器製造

物質種類

シリコン ゲルマニウム 化合物半導体

形状

ウエハ シングルクリスタル ポリクリスタル

ドーピング種

n型半導体 p型半導体

特殊特性

高耐圧半導体 高周波半導体

厚さ μm

150 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 1,200 1,200 - 1,400

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