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この製品について

■概要

半導体ALD/CVDプリカーサーは、半導体薄膜堆積プロセスの中核原料であり、化学気相成長法 (CVD) と原子層堆積法 (ALD) により金属/酸化物/窒化物薄膜を調製することができ、90nm-14nm、さらには7nm先端技術ノードIC製造プロセスで使用される。 集積回路製造プロセスの7nm先端技術ノードでさえ、ロジックチップ、AIチップ、5Gチップ、大容量メモリー、クラウドコンピューティングチップを含むハイエンドチップ製造に広く使用されている。当社は多種のALD/CVD前駆体材料と技術を持っており、トリメチルアルミニウムを含む多種の製品を提供することができる。

  • シリーズ

    CVD・ALD材料

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CVD・ALD材料 品番10件

フィルター
商品画像 品番 価格 (税抜)

トリメチルアルミニウム

要見積もり

Al

Trimethylaluminum

TMA

75-24-1

トリメチル (トリメチルホスフィン) ⾦

要見積もり

Au

Trimethyl (trimethylphosphine) gold

Me3Au (PMe3)

33012-33-8

トリメチル (トリエチルホスフィン) ⾦

要見積もり

Au

Trimethyl (triethylphosphine) gold

Me3Au (PEt3)

-

ジカルボニルシクロペンタジエニルコバルト

要見積もり

Co

carbonylcyclopentadienyl cobalt

CpCo (CO) 2

12078-25-0

N, N′−ジ−tert−ブチルエチルアミノコバルト

要見積もり

Co

Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) cobalt

Co (t-Bu-Me-AMD) 2

-

ジメチルアミン−2−プロパノール銅

要見積もり

Cu

Bis (dimethylamino-2-propoxy) copper

Cu (dmap) 2

185827-91-2

ビス (ヘキサフルオロアセチルアセトナト) 銅

要見積もり

Cu

Copper hexafluoroacetylacetonate

Cu (hfac) 2

14781-45-4

N, N′−ジイソプロピルエチルアミノ銅

要見積もり

Cu

Bis (N,N'-di-isopropylacetamidinato) copper

Cu (i-Pr-Me-AMD) 2

-

N, N′−ジ−tert−ブチルエチルアジニル銅

要見積もり

Cu

Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) copper

Cu (t-Bu-Me-AMD) 2

-

テトラ (ジメチルアミン) ゲルマニウム

要見積もり

Ge

Tetrakis (dimethylamino) germanium

TDMAGe

7344-40-3

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