CVD・ALD材料
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この製品について

■概要半導体ALD/CVDプリカーサーは、半導体薄膜堆積プロセスの中核原料であり、化学気相成長法 (CVD) と原子層堆積法 (ALD) により金属/酸化物/窒化物薄膜を調製することができ、90nm-14nm、さらには7nm先端技術ノードIC製造プロセスで使用される。

集積回路製造プロセスの7nm先端技術ノードでさえ、ロジックチップ、AIチップ、5Gチップ、大容量メモリー、クラウドコンピューティングチップを含むハイエンドチップ製造に広く使用されている。当社は多種のALD/CVD前駆体材料と技術を持っており、トリメチルアルミニウムを含む多種の製品を提供することができる。

型番
この商品には10種類の型番があります

シリーズ
CVD・ALD材料

取扱企業
CHEMFISH TOKYO株式会社

カテゴリ

半導体製造

半導体材料

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CVD・ALD材料品番10件

フィルター

品番	価格 (税抜)	エレメント Al Au Co Cu Ge	英語化学名 Trimethylaluminum Trimethyl (trimethylphosphine) gold Trimethyl (triethylphosphine) gold carbonylcyclopentadienyl cobalt Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) cobalt Bis (dimethylamino-2-propoxy) copper Copper hexafluoroacetylacetonate Bis (N,N'-di-isopropylacetamidinato) copper Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) copper Tetrakis (dimethylamino) germanium	Code TMA Me3Au (PMe3) Me3Au (PEt3) CpCo (CO) 2 Co (t-Bu-Me-AMD) 2 Cu (dmap) 2 Cu (hfac) 2 Cu (i-Pr-Me-AMD) 2 Cu (t-Bu-Me-AMD) 2 TDMAGe	CAS 75-24-1 33012-33-8 12078-25-0 185827-91-2 14781-45-4 7344-40-3
トリメチルアルミニウム	要見積もり	Al	Trimethylaluminum	TMA	75-24-1
トリメチル (トリメチルホスフィン) ⾦	要見積もり	Au	Trimethyl (trimethylphosphine) gold	Me3Au (PMe3)	33012-33-8
トリメチル (トリエチルホスフィン) ⾦	要見積もり	Au	Trimethyl (triethylphosphine) gold	Me3Au (PEt3)	-
ジカルボニルシクロペンタジエニルコバルト	要見積もり	Co	carbonylcyclopentadienyl cobalt	CpCo (CO) 2	12078-25-0
N, N′−ジ−tert−ブチルエチルアミノコバルト	要見積もり	Co	Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) cobalt	Co (t-Bu-Me-AMD) 2	-
ジメチルアミン−2−プロパノール銅	要見積もり	Cu	Bis (dimethylamino-2-propoxy) copper	Cu (dmap) 2	185827-91-2
ビス (ヘキサフルオロアセチルアセトナト) 銅	要見積もり	Cu	Copper hexafluoroacetylacetonate	Cu (hfac) 2	14781-45-4
N, N′−ジイソプロピルエチルアミノ銅	要見積もり	Cu	Bis (N,N'-di-isopropylacetamidinato) copper	Cu (i-Pr-Me-AMD) 2	-
N, N′−ジ−tert−ブチルエチルアジニル銅	要見積もり	Cu	Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) copper	Cu (t-Bu-Me-AMD) 2	-
テトラ (ジメチルアミン) ゲルマニウム	要見積もり	Ge	Tetrakis (dimethylamino) germanium	TDMAGe	7344-40-3