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この製品について

■概要

半導体ALD/CVDプリカーサーは、半導体薄膜堆積プロセスの中核原料であり、化学気相成長法 (CVD) と原子層堆積法 (ALD) により金属/酸化物/窒化物薄膜を調製することができ、90nm-14nm、さらには7nm先端技術ノードIC製造プロセスで使用される。 集積回路製造プロセスの7nm先端技術ノードでさえ、ロジックチップ、AIチップ、5Gチップ、大容量メモリー、クラウドコンピューティングチップを含むハイエンドチップ製造に広く使用されている。当社は多種のALD/CVD前駆体材料と技術を持っており、トリメチルアルミニウムを含む多種の製品を提供することができる。

  • シリーズ

    CVD・ALD材料

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CVD・ALD材料 品番10件

各品番毎の詳細は品番をクリックしてください

まとめて問合せ・見積 商品画像 品番 価格 (税抜) エレメント 英語化学名 Code CAS

トリメチルアルミニウム

要見積もり Al Trimethylaluminum TMA 75-24-1

トリメチル (トリメチルホスフィン) ⾦

要見積もり Au Trimethyl (trimethylphosphine) gold Me3Au (PMe3) 33012-33-8

トリメチル (トリエチルホスフィン) ⾦

要見積もり Au Trimethyl (triethylphosphine) gold Me3Au (PEt3) -

ジカルボニルシクロペンタジエニルコバルト

要見積もり Co carbonylcyclopentadienyl cobalt CpCo (CO) 2 12078-25-0

N, N′−ジ−tert−ブチルエチルアミノコバルト

要見積もり Co Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) cobalt Co (t-Bu-Me-AMD) 2 -

ジメチルアミン−2−プロパノール銅

要見積もり Cu Bis (dimethylamino-2-propoxy) copper Cu (dmap) 2 185827-91-2

ビス (ヘキサフルオロアセチルアセトナト) 銅

要見積もり Cu Copper hexafluoroacetylacetonate Cu (hfac) 2 14781-45-4

N, N′−ジイソプロピルエチルアミノ銅

要見積もり Cu Bis (N,N'-di-isopropylacetamidinato) copper Cu (i-Pr-Me-AMD) 2 -

N, N′−ジ−tert−ブチルエチルアジニル銅

要見積もり Cu Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) copper Cu (t-Bu-Me-AMD) 2 -

テトラ (ジメチルアミン) ゲルマニウム

要見積もり Ge Tetrakis (dimethylamino) germanium TDMAGe 7344-40-3

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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  • 本社所在地: 東京都
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