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GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面&M面)-GaN-FS-A-N-S
GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面&M面)-株式会社豊港

GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面&M面)
株式会社豊港

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当社はGaN(窒化ガリウム)基板、GaNテンプレート、Power用エピウェーハ、RGB Micro LED Epiウェーハ、Hybrid Integrated RGB Micro LEDチップなど、最先端のGaN技術を活用したソリューションを提供いたします。

  • シリーズ

    GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面&M面)

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GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面&M面) 品番2件

フィルター
商品画像 品番 価格 (税抜) サイズ 基板厚 方位面 1次オリフラ方位。長さ 平坦度TTV 反りBOW 転移欠陥密度 有効面積 表面仕上げ 梱包方法
GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面&M面)-品番-GaN-FS-A-N-S

GaN-FS-A-N-S

要見積もり

5mm×10mm、±0.2mm
5mm×20mm、±0.2mm

350 ±25um

A面 (1,120) 面 ±1°
M面 (1-100) 面 ±1°

N型 (Undoped)

オリフラ方位 (1-100) ± 0.5°
オリフラ長さ16 ± 1mm

15um以下

20um以下

<0.5Ω・cm

5×105個/cm2以下

90%以上

Ga面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド (非鏡面)

クリーンルーム内にて窒素封入
1枚ごと梱包、又は25枚カセット

GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面&M面)-品番-GaN-FS-M-N-S

GaN-FS-M-N-S

要見積もり

5mm×10mm、±0.2mm
5mm×20mm、±0.2mm

350 ±25um

A面 (1,120) 面 ±1°
M面 (1-100) 面 ±1°

半-絶縁性

オリフラ方位 (1-100) ± 0.5°
オリフラ長さ16 ± 1mm

15um以下

20um以下

>106Ω・cm

5×105個/cm2以下

90%以上

Ga面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド (非鏡面)

クリーンルーム内にて窒素封入
1枚ごと梱包、又は25枚カセット

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