GaNウェーハ非極性GaN角基板 (A面＆M面)
株式会社豊港

返答率

100.0%

返答時間

13.2時間

返信の比較的早い企業

無料
見積もり費用は無料です、お気軽にご利用ください

電話番号不要
不必要に電話がかかってくる心配はありません

この製品について

当社はGaN（窒化ガリウム）基板、GaNテンプレート、Power用エピウェーハ、RGB Micro LED Epiウェーハ、Hybrid Integrated RGB Micro LEDチップなど、最先端のGaN技術を活用したソリューションを提供いたします。

730人以上が見ています

最新の閲覧: 17時間前

返答率: 100.0%

無料
見積もり費用は無料のため、お気軽にご利用ください

電話番号不要
不必要に電話がかかってくる心配はありません

フィルター

	商品画像	品番	価格 (税抜)	サイズ	基板厚	方位面	導電タイプ N型 (Undoped) 半-絶縁性	1次オリフラ方位。長さ	平坦度TTV	反りBOW	電気抵抗率 (300K) ＜0.5Ω・cm ＞106Ω・cm	転移欠陥密度	有効面積	表面仕上げ	梱包方法
		GaN-FS-A-N-S	要見積もり	5mm×10mm、±0.2mm 5mm×20mm、±0.2mm	350 ±25um	A面 (1,120) 面 ±1° M面 (1-100) 面 ±1°	N型 (Undoped)	オリフラ方位 (1-100) ± 0.5° オリフラ長さ16 ± 1mm	15um以下	20um以下	＜0.5Ω・cm	5×105個/cm2以下	90%以上	Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面：ファイングラウンド (非鏡面)	クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット
		GaN-FS-M-N-S	要見積もり	5mm×10mm、±0.2mm 5mm×20mm、±0.2mm	350 ±25um	A面 (1,120) 面 ±1° M面 (1-100) 面 ±1°	半-絶縁性	オリフラ方位 (1-100) ± 0.5° オリフラ長さ16 ± 1mm	15um以下	20um以下	＞106Ω・cm	5×105個/cm2以下	90%以上	Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面：ファイングラウンド (非鏡面)	クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット