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XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-2"~4"GaN基板
XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-株式会社トゥーリーズ

XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板
株式会社トゥーリーズ

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この製品について

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。 気相成長法 (HVPE) 技術によって成長させた欠陥密度の低いGaN基板を1枚からご提供いたします。 電離放射線に対して他のIII族窒化物と同様に感度が低いGaNを、衛星用の太陽電池アレイや通信、気象、監視衛星用の高出力、高周波デバイスなどの宇宙用途に適した材料となっています。 ※価格はサイズなど仕様及び数量に大きく依存します。

  • シリーズ

    XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板

企業レビュー 5.0

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2024年12月5日にレビュー済み

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XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板 品番2件

フィルター

次の条件に該当する商品を1件表示しています

商品画像 品番 価格 (税抜) 抵抗値 TTV BOW 研磨 有効範囲
XCSW製 化合物・半導体結晶 GaNウェハ・ダイシングチップ基板-品番-チップ加工GaN基板

チップ加工GaN基板

要見積もり

5x5.5mm
10x10.5mm
14x15mm

230±20um
280±20um

- -

C軸 (0001) ±0.5°

- - - -

Nタイプ:<0.5ohm.cm
半絶縁体:>10^⁶ohm.cm

<5x10⁶cm²

0

≦15um

≦20um

エピレディ研磨,Ra<0.2nm
裏面fine ground又はRough grinded

≧90%

フィルターに該当する他製品

GaNパワーデバイスの中で同じ条件の製品
外観寸法: 0 - 10mm

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GaNパワーデバイスをフィルターから探すことができます

入力電圧 VAC

90 - 100 100 - 240 240 - 270

出力電圧 V

3 - 5 5 - 20 20 - 30

最大出力 W

10 - 50 50 - 70 70 - 110

出力電流 A

1 - 3 3 - 5 5 - 10

MTBF 時間

0 - 50,000 50,000 - 100,000 100,000 - 300,000

動作温度 ℃

-30 - 0 0 - 20 20 - 30 30 - 40

外観寸法 mm

0 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 80 80 - 110

ポート数

1 2 4

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この商品の取り扱い会社情報

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企業レビュー

5.0

会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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