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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150-RT1N141C-T150
抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150-イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150
イサハヤ電子株式会社



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この製品について

■特長

・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能

■用途

インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ドライバ回路

  • シリーズ

    抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150

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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) イサハヤパッケージ JEITAパッケージ AEC対応 極性 P (mW) R1 (KΩ) R2 (KΩ) VCEO (V) IC (mA) VI (ON) (V) (max) VI (OFF) (V) (min) hFE (min) VIN (V)
抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150-品番-RT1N141C-T150

RT1N141C-T150

要見積もり

ミニタイプ

SC-59

NPN

200

10

10

50

100

3

0.8

50

40

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

イサハヤ電子株式会社は、1973年に設立された、半導体デバイスおよび電子機器メーカーです。 1991年には、関連会社(株)アイ・ディー・シーと合併し、2002年以降は海外へ販売拠点を持つなど、事業を拡大しています。 小...

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  • 本社所在地: 長崎県
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