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バイポーラトランジスタ メーカー21社

バイポーラトランジスタのメーカー21社一覧企業ランキングを掲載中!バイポーラトランジスタ関連企業の2025年4月注目ランキングは1位:株式会社東芝、2位:株式会社エルムテクノロジー、3位:PANJIT Japan Inc.となっています。 バイポーラトランジスタの概要、用途、原理もチェック!

21バイポーラトランジスタメーカー

バイポーラトランジスタ 2025年4月のメーカーランキング


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54 点の製品

1

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

820人以上が見ています

最新の閲覧: 23時間前

返信の比較的早い企業

100.0% 返答率

21.9時間 返答時間

IGBTディスクリート、プレスパック、パワーモジュール、そして様々な電圧/電流クラスのスタックソリューションまで多種多様なデバイス...

4種類の品番

IGBTディスクリート-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
IGBTパワーモジュール-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
IGBTベアダイ-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
車載適合IGBT-パワー IGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

2

株式会社三社電機製作所

IGBT

430人以上が見ています

最新の閲覧: 2時間前

返信の比較的早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

18.6時間 返答時間

■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホ...

2種類の品番

GSA75AA120-IGBT
GSA100AA60-IGBT

3

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

370人以上が見ています

最新の閲覧: 1日前

返信の比較的早い企業

100.0% 返答率

21.9時間 返答時間

■インフィニオンの車載および産業用アプリケーション向けのローサイドおよびハイサイドスマートパワースイッチの包括的かつ革新的なポー...

2種類の品番

ハイサイドスイッチ-パワー インフィニオンスマートパワースイッチ
Multichannel SPI Switches & Controller-パワー インフィニオンスマートパワースイッチ

4

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ バイポーラトランジスタ 2SA1363

260人以上が見ています

最新の閲覧: 9時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

■概要 2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製...


5

イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 高電圧スイッチ用 RT3C88M

260人以上が見ています

最新の閲覧: 3時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅...


6

イサハヤ電子株式会社

シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M

250人以上が見ています

最新の閲覧: 2時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


7

イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1

250人以上が見ています

最新の閲覧: 5時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品...


8

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ リレードライブ、電源用 シリコンPNPエビタキシァル形 2SA1944

240人以上が見ています

最新の閲覧: 1時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

2SA1944は、シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにhFEが高く設計、製造されています...


9

敬誠株式会社

複合バイポーラトランジスタ

240人以上が見ています

最新の閲覧: 4時間前

返信の早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

8.3時間 返答時間

■特徴 ・超小型複合バイポーラトランジスタ ・パワーマネージメント用 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準...


10

イサハヤ電子株式会社

シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M-T150

240人以上が見ています

最新の閲覧: 8時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


11

敬誠株式会社

複合デジタルトランジスタ

230人以上が見ています

最新の閲覧: 7時間前

返信の早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

8.3時間 返答時間

■特徴 ・超小型複合デジタルトランジスタ ・分圧型 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠


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イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M

230人以上が見ています

最新の閲覧: 56分前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


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敬誠株式会社

バイポーラトランジスタ

230人以上が見ています

最新の閲覧: 2時間前

返信の早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

8.3時間 返答時間

■特徴 ・ミドルパワードライバに最適 ・VCE (sat) が低い ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠 ・用途:...


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イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 低周波電力増幅用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1364

230人以上が見ています

最新の閲覧: 7時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

2SA1364は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。耐圧が高い、コレクタ電流が大きい、さらにコレクタ損失が大きく...


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イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 小形モータ、プランジャドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1369

220人以上が見ています

最新の閲覧: 2時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

2SA1369は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタで、コレクタ損失およびコレクタ電流が大きく、さらにhFEが高く、設計、...


16

敬誠株式会社

デジタルトランジスタ

220人以上が見ています

最新の閲覧: 1日前

返信の早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

8.3時間 返答時間

■特徴 ・バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。 (内部回路図参照) ・バイアス用...


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イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 汎用大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシャル形 (ミニタイプ) 2SA1366

210人以上が見ています

最新の閲覧: 6時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

2SA1366は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく高耐圧に設計・製造されております。...


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イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M-T150

200人以上が見ています

最新の閲覧: 3時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...


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イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2A00AM1

200人以上が見ています

最新の閲覧: 6時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT2A00AM1は、PNPトランジスタ ISA1235AC1を2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部...


20

敬誠株式会社

トランジスタ IGBT

200人以上が見ています

返信の早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

8.3時間 返答時間

■特徴 ・特長:低飽和電圧 ・回路数:2 ・ダイオード内蔵:あり ・RoHS Compatible Product (s) 適合品あり


21

イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1-T150

200人以上が見ています

最新の閲覧: 5時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品...


22

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシャル形 (ミニタイプ) 2SA1365

200人以上が見ています

最新の閲覧: 8時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

2SA1365は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形トランジスタでコレクタ 電流が大きく VCE (sat) が小さく設計・製造され...


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イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M-T150

190人以上が見ています

最新の閲覧: 1時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...


24

イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M

190人以上が見ています

最新の閲覧: 6時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...


25

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 小形モータ、プランジャドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1369-TH51

190人以上が見ています

最新の閲覧: 4時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

2SA1369は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタで、コレクタ損失およびコレクタ電流が大きく、さらにhFEが高く、設計、...


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イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N141Xシリーズ

190人以上が見ています

最新の閲覧: 6時間前

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5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P141Xシリーズがあ...


27

イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 高電圧ドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1368

190人以上が見ています

最新の閲覧: 5時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

2SA1368は、樹脂封止形のシリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、高耐圧に設計、製造されておりますので...


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イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ 大電流ドライブ用 シリコンPNPエピタキシァル形 2SA1946

180人以上が見ています

最新の閲覧: 9時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

2SA1946は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、VCE (sat) が小さく設計、製造されております...


29

イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N141C-T150

180人以上が見ています

最新の閲覧: 9時間前

返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イ...


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イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシァル形 RT1N130Xシリーズ

180人以上が見ています

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返信のとても早い企業

5.0 会社レビュー

100.0% 返答率

2.6時間 返答時間

■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1.0kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P130Xシリーズがあります...


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