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バイポーラトランジスタのメーカー21社一覧や企業ランキングを掲載中!バイポーラトランジスタ関連企業の2025年4月注目ランキングは1位:株式会社東芝、2位:株式会社エルムテクノロジー、3位:PANJIT Japan Inc.となっています。 バイポーラトランジスタの概要、用途、原理もチェック!
バイポーラトランジスタ (英: Bipolar Transistor) とは、3端子の半導体素子のことです。
接合型トランジスタとも言われ、N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持ちます。電界効果トランジスタ (英: Field Effect Transistor) が正孔もしくは自由電子のどちらかがキャリアとして動作するユニポーラトランジスタとは異なり、正孔と自由電子両方が動作に関与することからバイポーラトランジスタと呼ばれています。
2025年4月の注目ランキングベスト10
順位 | 会社名 | クリックシェア |
---|---|---|
1 | 株式会社東芝 |
9.2%
|
2 | 株式会社エルムテクノロジー |
8.0%
|
3 | PANJIT Japan Inc. |
6.9%
|
4 | オン・セミコンダクター株式会社 |
6.9%
|
5 | Taiwan Semiconductor Japan Ltd. |
6.9%
|
6 | サンケン電気株式会社 |
6.9%
|
7 | ケーイーシージャパン株式会社 |
5.7%
|
8 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
4.6%
|
9 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 |
4.6%
|
10 | Diotec Semiconductor AG |
4.6%
|
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
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IGBTディスクリート、プレスパック、パワーモジュール、そして様々な電圧/電流クラスのスタックソリューションまで多種多様なデバイス...
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■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホ...
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インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
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■概要 2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製...
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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅...
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■特徴 ・超小型複合バイポーラトランジスタ ・パワーマネージメント用 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準...
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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...
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■特徴 ・超小型複合デジタルトランジスタ ・分圧型 ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が...
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■特徴 ・ミドルパワードライバに最適 ・VCE (sat) が低い ・小型面実装パッケージで省スペース ・鉛フリー対応、RoHS規格準拠 ・用途:...
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■特徴 ・バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。 (内部回路図参照) ・バイアス用...
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■特徴 ・特長:低飽和電圧 ・回路数:2 ・ダイオード内蔵:あり ・RoHS Compatible Product (s) 適合品あり
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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及...
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P141Xシリーズがあ...
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、イ...
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