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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150-RT1N136U-T150
抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150-イサハヤ電子株式会社

抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150
イサハヤ電子株式会社

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この製品について

■特長

・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能

■用途

インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ドライバ回路

  • シリーズ

    抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150

企業レビュー

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2025年9月8日にレビュー

早急に対応頂けました。合う製品のご紹介も頂き、助かりました。今後とも宜しくお願い致します。

初回返答までの時間・0.28時間

2024年12月13日にレビュー

早い対応、相談事の的確さ。

初回返答までの時間・1.15時間

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最新の閲覧: 1時間前


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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) イサハヤパッケージ JEITAパッケージ AEC対応 極性 P (mW) R1 (KΩ) R2 (KΩ) VCEO (V) IC (mA) VI (ON) (V) (max) VI (OFF) (V) (min) hFE (min) VIN (V)
抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150-品番-RT1N136U-T150

RT1N136U-T150

要見積もり

ウルトラスーパーミニタイプ

SC-75A

NPN

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使用用途

#電源回路 #インバータ #モータ制御 #音響機器 #車載機器 #産業機器

極性構造

NPN型 PNP型

動作領域

中電力型 大電力型

VCEO V

-150 - -100 -100 - -50 -50 - -20 -20 - 0 0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 600 600 - 700

IC A

-2 - -1 -1 - 0 0 - 1 1 - 10 10 - 20

hFE

0 - 100 100 - 200 200 - 400 400 - 800

P mW

100 - 200 200 - 500 500 - 600 600 - 700

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この商品の取り扱い会社情報

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企業レビュー

5.0

会社概要

イサハヤ電子株式会社は、1973年に設立された、半導体デバイスおよび電子機器メーカーです。 1991年には、関連会社(株)アイ・ディー・シーと合併し、2002年以降は海外へ販売拠点を持つなど、事業を拡大しています。 小...

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  • 本社所在地: 長崎県
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