マスクレス露光装置 DMDによる直接描画で半導体デバイス試作のサイクルタイムを削減マスクレス露光装置 ME-120F-ME-120F

マスクレス露光装置 DMDによる直接描画で半導体デバイス試作のサイクルタイムを削減マスクレス露光装置 ME-120F
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この製品について

マスクレス露光装置 ME-120F は、露光によって半導体ウェハなどにパターンを描画する装置です。DMD (Digital Micromirror Device) と呼ばれる表示素子で直接描画を行うため、フォトマスクの製作に必要とされていた莫大な費用と多くの時間が不要になり、従来のフォトリソグラフィプロセスにおける課題が解消されます。

■DMDによる直接描画DMDは、10数µm角の微小な鏡を格子状に配列した表示素子。鏡面にLEDを光源とする光を照射し、一つひとつのミラーを傾ける (ON/OFF制御する) ことにより、2値化されたパターンの画像データを基板上に直接描画します。フォトマスク製作にかかる費用と時間が不要になるため、半導体デバイスの試作を効率化することができます。

■ ファインモード搭載でジャギを改善露光結果のジャギを改善するため、標準露光モードに加え、ピクセル補完技術を応用したファイン露光モードを標準搭載。スループット時間は長くなりますが、斜線や曲線のデータ再現性が飛躍的に向上します。タクトと精度、目的に応じてご使用いただけます。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
マスクレス露光装置 DMDによる直接描画で半導体デバイス試作のサイクルタイムを削減マスクレス露光装置 ME-120F

取扱企業
株式会社ピーエムティー

カテゴリ

加工・工作機器

FPD露光装置

半導体製造

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露光装置

半導体製造

電子ビーム描画装置

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マスクレス露光装置 DMDによる直接描画で半導体デバイス試作のサイクルタイムを削減マスクレス露光装置 ME-120F 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	基板	露光方式	光源	重ね合わせ精度	露光能力	分解能	本体寸法	重量	使用環境	電源
	ME-120F	要見積もり	Max. □300mmウェハ	スキャン露光方式	LED (光源波長：λ=385nm)	±0.5µm以内	400mm2/min (標準露光時)	標準露光時：0.5µm/pix、ファイン露光時：0.05µm/pix (x10) , 0.10µm/pix (x5) ,0.125µm/pix (x4) , 0.25µm/pix (x5)	W2,000 × D1,300 × H2,000mm	約1,300kg	温度：22±1℃、湿度：50±10％RH (結露無き事)	AC100V (3A)