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マスクレス露光装置 DMDによる直接描画で半導体デバイス試作のサイクルタイムを削減 マスクレス露光装置 ME-120F取扱企業
株式会社ピーエムティーカテゴリ
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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 基板 | 露光方式 | 光源 | 重ね合わせ精度 | 露光能力 | 分解能 | 本体寸法 | 重量 | 使用環境 | 電源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ME-120F |
要見積もり |
Max. □300mmウェハ |
スキャン露光方式 |
LED (光源波長：λ=385nm) |
±0.5µm以内 |
400mm2/min (標準露光時) |
標準露光時：0.5µm/pix、ファイン露光時：0.05µm/pix (x10) , 0.10µm/pix (x5) ,0.125µm/pix (x4) , 0.25µm/pix (x5) |
W2,000 × D1,300 × H2,000mm |
約1,300kg |
温度：22±1℃、湿度：50±10％RH (結露無き事) |
AC100V (3A) |
