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薄膜成長用酸化物基板 ネオジガレート-NGOーASー10N
薄膜成長用酸化物基板 ネオジガレート-株式会社信光社

薄膜成長用酸化物基板 ネオジガレート
株式会社信光社



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この製品について

■弊社は1980年代から高温超電導薄膜やGaNなどの基板としてSrTiO3やサファイア基板を提供をはじめ、科学技術の向上に貢献し続けています。

エピタキシャル成長用基板は、結晶性、基板表面の平滑、平坦性とともに最表面の結晶格子歪の有無が重要です。弊社は長年の技術の蓄積により、結晶育成 (一部結晶は除く) から加工まで自社内で一貫生産しており、高精度な加工技術により、加工歪層のない高品質な結晶基板表面に仕上げております。 誘電体、超伝導、化合物半導体などのエピタキシャル成長に最適な酸化物結晶基板を提供しております。

■ネオジガレート

NaGaO3 (110) は磁性体、強誘電体、超電導体のエピタキシャル成長用基板として広く用いられています。また (011) 面は格子長や対称性がGaN (0001) に近いため、GaN用エピタキシャル基板としても注目されています。弊社では、CZ法による結晶成長から、基板加工まで一貫生産を行っております。皆様の研究にぜひお役立て下さい。

■物性

・組成 NdGaO3 ・結晶系 直方晶 (斜方晶) 系 ・結晶構造 ペロブスカイト構造 ・格子定数 a=0.5431 nm b=0.5499 nm c=0.7710 nm ・融点 1,650 ℃ ・密度 7.56 g/cm3 ・育成方法 CZ法 ・誘電率 20~25 (27℃,1 MHz) ・熱膨張係数 10×10^-6/℃

■オプション

・OFF基板 ・ブレイク溝付き基板

  • シリーズ

    薄膜成長用酸化物基板 ネオジガレート

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薄膜成長用酸化物基板 ネオジガレート 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) サイズ 面方位 (公差:±0.5°) 研磨 表面粗さ 平坦度 (λ=632.8 nm) 表面処理 オリフラ
薄膜成長用酸化物基板 ネオジガレート-品番-NGOーASー10N

NGOーASー10N

要見積もり

外形公差±0.1mm 厚み公差±0.05mm:10×10×0.5 t

(100)

片面研磨

Ra≦1.0 nm
Rmax≦5.0 nm

≦ λ

標準

(001)

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

株式会社信光社は1947年に設立された、各種酸化物単結晶製品の製造・販売をしている会社です。 サファイアやルチルなどの酸化物単結晶製品、光アイソレータやルチルプリズムなどの光通信デバイスの製造だけでなく、ファイバーレー...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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