MPCVD-ZnO | 酸化亜鉛ナノロッド生成装置 MPCVD-ZnO
株式会社マイクロフェーズ

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管状炉温度制御

1ゾーンプログラム付温度調節計

管状炉常用使用温度

400~1,000℃

管状炉電気容量

500W

炉心管サイズ

OD30mm×ID26mm×L750mm

排気ポンプロータリーポンプ外形寸法

W156mm×H200mm×D300mm

管状炉外形寸法

W300mm×H200mm×D186mm

外形寸法

W900mm×H600mm×D500mm

ガス制御面積式流量計導入ガス種

キャリアガス：N2 or Ar 酸化ガス：O2

真空計

ブルドン管真空計

炉心管材質

石英

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この製品について

酸素ガスを供給しながらZn原料を加熱して蒸発させると、Zn蒸気と酸素ガスと反応し、ZnOが生成されます。 六方晶のZnOは、そのC軸の成長速度が非常に速いため、結果としてロッド状に成長します。 一方、ZnOのC面の結晶格子定数がサファイア基板やシリコン基板の結晶格子定数に近いため、 エピタキシャル成長により、ZnOのC面 (C軸と垂直) が基板に平行になりやすい。 つまり、ロッドが基板に垂直に成長することになります。 

Au薄膜を基板に成膜するとナノロッドがより成長しやすいことが知られています。 これは、他の繊維状物質  (CNT、Auナノワイヤー、SICウイスカーなど) と同じように、VLS成長機構に起因する現象です。 この現象により、サファイア以外の基板にも、ナノロッドが成長できるようになります。

■目的ZnOナノロッドを基板上に成長させる管状炉タイプ (φ30mm) の熱CVD装置です。

■特徴        ・当社独自の生成原理に基づく装置設計とプロセス条件設定
・サファイア、シリコン基板に垂直配向ZnOナノロッドが成長可能

型番
MPCVD-ZnO

シリーズ
酸化亜鉛ナノロッド生成装置 MPCVD-ZnO

取扱企業
株式会社マイクロフェーズ

カテゴリ

半導体製造

CVD装置

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酸化亜鉛ナノロッド生成装置 MPCVD-ZnO MPCVD-ZnOの性能表

商品画像	価格 (税抜)	管状炉温度制御	管状炉常用使用温度	管状炉電気容量	炉心管サイズ	排気ポンプロータリーポンプ外形寸法	管状炉外形寸法	外形寸法	ガス制御面積式流量計導入ガス種	真空計	炉心管材質
	要見積もり	1ゾーンプログラム付温度調節計	400~1,000℃	500W	OD30mm×ID26mm×L750mm	W156mm×H200mm×D300mm	W300mm×H200mm×D186mm	W900mm×H600mm×D500mm	キャリアガス：N2 or Ar 酸化ガス：O2	ブルドン管真空計	石英