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酸化亜鉛ナノロッド生成装置 MPCVD-ZnO-株式会社マイクロフェーズ

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管状炉 温度制御

1ゾーン プログラム付温度調節計

管状炉 常用使用温度

400~1,000℃

管状炉 電気容量

500W

炉心管 サイズ

OD30mm×ID26mm×L750mm

排気ポンプ ロータリーポンプ 外形寸法

W156mm×H200mm×D300mm

管状炉 外形寸法

W300mm×H200mm×D186mm

外形寸法

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ガス制御 面積式流量計 導入ガス種

キャリアガス:N2 or Ar 酸化ガス:O2

真空計

ブルドン管真空計

炉心管 材質

石英

この製品について

酸素ガスを供給しながらZn原料を加熱して蒸発させると、Zn蒸気と酸素ガスと反応し、ZnOが生成されます。 六方晶のZnOは、そのC軸の成長速度が非常に速いため、結果としてロッド状に成長します。 一方、ZnOのC面の結晶格子定数がサファイア基板やシリコン基板の結晶格子定数に近いため、 エピタキシャル成長により、ZnOのC面 (C軸と垂直) が基板に平行になりやすい。 つまり、ロッドが基板に垂直に成長することになります。 Au薄膜を基板に成膜するとナノロッドがより成長しやすいことが知られています。 これは、他の繊維状物質 (CNT、Auナノワイヤー、SICウイスカーなど) と同じように、VLS成長機構に起因する現象です。 この現象により、サファイア以外の基板にも、ナノロッドが成長できるようになります。

■目的

ZnOナノロッドを基板上に成長させる管状炉タイプ (φ30mm) の熱CVD装置です。

■特徴

・当社独自の生成原理に基づく装置設計とプロセス条件設定 ・サファイア、シリコン基板に垂直配向ZnOナノロッドが成長可能

  • 型番

    MPCVD-ZnO

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酸化亜鉛ナノロッド生成装置 MPCVD-ZnO MPCVD-ZnOの性能表

商品画像 価格 (税抜) 管状炉 温度制御 管状炉 常用使用温度 管状炉 電気容量 炉心管 サイズ 排気ポンプ ロータリーポンプ 外形寸法 管状炉 外形寸法 外形寸法 ガス制御 面積式流量計 導入ガス種 真空計 炉心管 材質
酸化亜鉛ナノロッド生成装置 MPCVD-ZnO-品番-MPCVD-ZnO 要見積もり 1ゾーン プログラム付温度調節計 400~1,000℃ 500W OD30mm×ID26mm×L750mm W156mm×H200mm×D300mm W300mm×H200mm×D186mm W900mm×H600mm×D500mm キャリアガス:N2 or Ar 酸化ガス:O2 ブルドン管真空計 石英

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使用用途

#半導体製造 #太陽電池製造 #MEMS製造 #ナノ材料生成 #ダイヤモンド生成 #絶縁膜形成 #保護膜形成 #透明導電膜形成 #カーボンナノチューブ #高硬度薄膜 #センサー #電子デバイス

成膜温度 ℃

100 - 300 300 - 500 500 - 1,200

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この商品の取り扱い会社情報

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返答時間

87.8時間

会社概要

株式会社マイクロフェーズは、カーボンナノチューブ、ナノ材料、ナノテクノロジーの分野の研究開発と、これらを使った事業の支援を行う会社です。 1999年に設立して、2002年に筑波大学発ベンチャーとして認定されました。さま...

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  • 本社所在地: 茨城県

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