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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N137P-イサハヤ電子株式会社

RT1N137P | 抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N137P
イサハヤ電子株式会社

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P (mW)

500

R1 (KΩ)

1

R2 (KΩ)

22

VCEO (V)

40

IC (mA)

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VI (ON) (V) (max)

4

VI (OFF) (V) (min)

0.4

hFE (min)

100

この製品について

RT1N137Pは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れてワンチップ化した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が可能となります。

■特徴

・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=22kΩ) ・コレクタ電流が大きい IC=1A ・VCE (sat) が低い VCE (sat) =0.3V (@IC=300mA/IB=3mA)

■用途

インバータ回路、スイッチング回路、インタフェース回路、ドライバ回路

  • 型番

    RT1N137P

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2024年12月13日にレビュー済み

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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N137P RT1N137Pの性能表

商品画像 価格 (税抜) JEITAパッケージ JEDECパッケージ 極性 P (mW) R1 (KΩ) R2 (KΩ) VCEO (V) IC (mA) VI (ON) (V) (max) VI (OFF) (V) (min) hFE (min)
抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N137P-品番-RT1N137P 要見積もり SC-62 SOT-89 NPN 500 1 22 40 1,000 4 0.4 100

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VCEO V

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IC A

-2 - -1 -1 - 0 0 - 1 1 - 10 10 - 20

hFE

0 - 100 100 - 200 200 - 400 400 - 800

P mW

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会社概要

イサハヤ電子株式会社は、1973年に設立された、半導体デバイスおよび電子機器メーカーです。 1991年には、関連会社(株)アイ・ディー・シーと合併し、2002年以降は海外へ販売拠点を持つなど、事業を拡大しています。 小...

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