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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150-イサハヤ電子株式会社

RT1N136U-T150 | 抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150
イサハヤ電子株式会社

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イサハヤパッケージ

ウルトラスーパーミニタイプ

JEITAパッケージ

SC-75A

AEC対応

○

極性

NPN

P (mW)

150

R1 (KΩ)

1

R2 (KΩ)

10

VCEO (V)

50

IC (mA)

100

VI (ON) (V) (max)

1.2

VI (OFF) (V) (min)

0.4

hFE (min)

33

VIN (V)

10

この製品について

■特長

・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能

■用途

インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、ドライバ回路

  • 型番

    RT1N136U-T150

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2024年12月13日にレビュー済み

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抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150 RT1N136U-T150の性能表

商品画像 価格 (税抜) イサハヤパッケージ JEITAパッケージ AEC対応 極性 P (mW) R1 (KΩ) R2 (KΩ) VCEO (V) IC (mA) VI (ON) (V) (max) VI (OFF) (V) (min) hFE (min) VIN (V)
抵抗入りトランジスタ スイッチング用 シリコンNPNエピタキシャル形 RT1N136U-T150-品番-RT1N136U-T150 要見積もり ウルトラスーパーミニタイプ SC-75A ○ NPN 150 1 10 50 100 1.2 0.4 33 10

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VCEO V

-150 - -100 -100 - -50 -50 - -20 -20 - 0 0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 600 600 - 700

IC A

-2 - -1 -1 - 0 0 - 1 1 - 10 10 - 20

hFE

0 - 100 100 - 200 200 - 400 400 - 800

P mW

100 - 200 200 - 500 500 - 600 600 - 700

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会社概要

イサハヤ電子株式会社は、1973年に設立された、半導体デバイスおよび電子機器メーカーです。 1991年には、関連会社(株)アイ・ディー・シーと合併し、2002年以降は海外へ販売拠点を持つなど、事業を拡大しています。 小...

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