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ハイブリッド回路 IH型-株式会社磐城無線研究所

株式会社磐城無線研究所の対応状況

返答率

100.0%

返答時間

45.8時間

全型番で同じ値の指標

はんだ付け性

230℃に5秒間浸漬

はんだ耐熱性

260℃に10秒間浸漬

温度サイクル

-30℃/30分~RT/5分~125℃/30分~5分、5分、5%

熱衝撃

100℃/5分~0℃/5分,水中10サイクル

P.C.T

115℃、1.7気圧,24時間

連続動作寿命

70C、1,000時間

基板

エポキシ基板、フェノール基板

コンデンサー

セラミック、タンタル等のチップ、ディスクリートタイプ

能動素子

半導体IC、トランジスター、ダイオード、整流器のミニモールド、ディスクリートタイプ

リードフレーム

ピッチ:2.54 (標準) 、2.5、2.0、1.9、1.8、1.8、1.27 材質:リン青銅 (標準) 、黄銅、鉄

外装

フェノール樹脂、エポキシ系樹脂

パッケージ

S.I.P (標準) 、D.I.P

抵抗 抵抗値範囲

102~10M& (102以下も可能)

抵抗 電力

30mW~500mW

抵抗 許容差

土5%,土10% (1%も可能)

抵抗 温度係数

+150PPM/C、+300PPMC

チップコンデンサ (セラミック) 容量值

1pF~ 1.5u F

チップコンデンサ (セラミック) 許容差

土5%,土10%,土20%,土80%

チップコンデンサ (セラミック) 定格電压

15V, 25V, 50V, 100V, 500V. D. C

チップコンデンサ (セラミック) 温度特性

0±30PPM/℃ (-55℃~+125℃) 0±60PPM/℃ (-55℃~+125℃) ±15% (-55℃~+125℃) +22%~-82% (-30℃~+85℃)

チップコンデンサ (タンタル) 容量值

0.01μF~68μF

チップコンデンサ (タンタル) 許容差

±20%

チップコンデンサ (タンタル) 電圧

4V~35V.D.C

ミニFETミニダイオード

・低周波増幅 ・高周波増幅 ・スイッチング用 ・スイッチングダイオードIc:100mA,VR:30~100V ・ツェナーダイオードVz:2.4~39V,Pc:150~1,000mW

その他組込み可能素子

サーミスタ,サイリスタ,チップインダクタ,その他 ディスクリート部品

この製品について

特長

■小形·高集積

高精度パターン、多層配線等の厚膜印刷技術と、レーザートリミング法により完成された基板に、各種の回路素子で構成していますから、小形、高集積となっております。

■高精度·高安定性

ハイブリッド回路においては、必要に応じて回路素子の特性を考慮、構成し、実績のある材料を用い、レーザートリミングとコンピュータによる、ファンクショントリミング、精密トリミング等を行い、回路特性の均一化および必要な性能の調整を行うことができ、高精度、高安定性となっております。

■省力化・低コスト化

ハイブリッド回路には、半導体に、トランジスター、ダイオード、SCR、コンデンサー、抵抗等、多数の素子を実装し必要な機能を一つのパッケージに集積していますので、組立工程の省力化はもちろんのこと、サービスまで含めた総合的なコスト低減に大きく寄与します。

■試作·開発

ハイブリッド回路は広範囲な標準回路素子および標準パッケージの組合せにより、必要な機能をもった製品を短期間で安価な開発費用で製作できます。

■用途

・自動車用電子機器 ・事務機、複写機 ・端末機 ・ファクシミリ ・VTR,TV等民生機器 ・無線機器 ・医療機器 ・計測器 ・光学機器 ・自動制御機器 ・音響機器 ・その他

■ミニトランジスタ

・一般用 Pc:150~1000mW,Ic:10~3000mA,VcEo:15~120V ・高周波用 fr:7GHz ・高圧スイッチング用 VcEo:500V ・高電力用 Ic:5A ・パワー Pc:10~20W,Io:0.8~5A,VcEo:30~400V ・ダーリントン Pc:10~15W,Ic:1~4A,VcEo:30~80V hFe:1000Min

■半導体IC

・TTL74シリーズ,74LSシリーズ相当,その他 ・CMOS4000シリーズ,5000シリーズ相当,CPU,RAM,ROM,その他 ・オペアンプ,コンパレータ ・その他ICタイマー,トランジスタアレー他

  • 型番

    ハイブリッド回路 IH型

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返答率: 100.0%

返答時間: 45.8時間


無料
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ハイブリッド回路 IH型 ハイブリッド回路 IH型の性能表

商品画像 価格 (税抜) はんだ付け性 はんだ耐熱性 温度サイクル 熱衝撃 P.C.T 連続動作寿命 基板 コンデンサー 能動素子 リードフレーム 外装 パッケージ 抵抗 抵抗値範囲 抵抗 電力 抵抗 許容差 抵抗 温度係数 チップコンデンサ (セラミック) 容量值 チップコンデンサ (セラミック) 許容差 チップコンデンサ (セラミック) 定格電压 チップコンデンサ (セラミック) 温度特性 チップコンデンサ (タンタル) 容量值 チップコンデンサ (タンタル) 許容差 チップコンデンサ (タンタル) 電圧 ミニFETミニダイオード その他組込み可能素子
ハイブリッド回路 IH型-品番-ハイブリッド回路 IH型 要見積もり 230℃に5秒間浸漬 260℃に10秒間浸漬 -30℃/30分~RT/5分~125℃/30分~5分、5分、5% 100℃/5分~0℃/5分,水中10サイクル 115℃、1.7気圧,24時間 70C、1,000時間 エポキシ基板、フェノール基板 セラミック、タンタル等のチップ、ディスクリートタイプ 半導体IC、トランジスター、ダイオード、整流器のミニモールド、ディスクリートタイプ ピッチ:2.54 (標準) 、2.5、2.0、1.9、1.8、1.8、1.27
材質:リン青銅 (標準) 、黄銅、鉄
フェノール樹脂、エポキシ系樹脂 S.I.P (標準) 、D.I.P 102~10M& (102以下も可能) 30mW~500mW 土5%,土10% (1%も可能) +150PPM/C、+300PPMC 1pF~ 1.5u F 土5%,土10%,土20%,土80% 15V, 25V, 50V, 100V, 500V. D. C 0±30PPM/℃ (-55℃~+125℃)
0±60PPM/℃ (-55℃~+125℃)
±15% (-55℃~+125℃)
+22%~-82% (-30℃~+85℃)
0.01μF~68μF ±20% 4V~35V.D.C ・低周波増幅
・高周波増幅
・スイッチング用
・スイッチングダイオードIc:100mA,VR:30~100V
・ツェナーダイオードVz:2.4~39V,Pc:150~1,000mW
サーミスタ,サイリスタ,チップインダクタ,その他
ディスクリート部品

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使用用途

#アンプ #コンピュータ #モバイル機器 #家電 #計測機器 #産業機器 #車載 #通信機器 #電源機器 #半導体パッケージ

層数 層

1 - 2 2 - 6 6 - 12 12 - 20 20 - 32

板厚 mm

0 - 1 1 - 2 2 - 4 4 - 8

最小線幅 μm

10 - 50 50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 500

最小ドリル径 mm

0.1 - 0.2 0.2 - 0.4 0.4 - 0.5 0.5 - 0.7

穴径 mm

0 - 0.1 0.1 - 0.2 0.2 - 0.3 0.3 - 0.4 0.4 - 0.5 0.5 - 1 1 - 7

パッドピッチ mm

0 - 1 1 - 3

銅箔厚 μm

0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600

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この商品の取り扱い会社情報

返答率

100.0%


返答時間

45.8時間

会社概要

株式会社磐城無線研究所は、巻線抵抗器などを取り扱っている企業です。 1947年に個人企業として設立し、1952年に株式会社へ改組しています。その後は、1966年に福島工場を建設するなど生産能力の向上を行っています。また...

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  • 本社所在地: 神奈川県

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