MPCVD-50 | CVD装置汎用CVD装置 MPCVD-50
株式会社マイクロフェーズ

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返答率

100.0%

返答時間

87.8時間

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管状炉常用使用温度

400~1,000℃

管状炉内寸法

60mmφ×L260mm

管状炉温度制御

1ゾーンプログラム付温度調節計

管状炉外形寸法

W300mm×H200mm×D186mm

管状炉電気容量

700W

炉心管材質

石英

炉心管サイズ

OD50mm×ID46mm×L900mm

ガス制御

マスフローコントローラ

導入ガス種

キャリアガス：N2 or Ar 還元ガス：H2 炭化水素ガス：C2H2 or C2H4 or CH4

真空計

ブルドン管真空計

排気ポンプ

ロータリーポンプ

排気ポンプ外形寸法

W156mm×H200mm×D300mm

外形寸法

W1,100mm×H1,000mm×D500mm

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この製品について

CNT合成,カーボン成膜,ナノセラミック成膜,窒化,カルコゲナイド成膜等に

■目的CNTを合成したり、粉体試料にカーボンを成膜したり、各種CVD成膜するための汎用管状炉タイプ熱CVD装置です。アンモニア、各種CVD反応ガス、昇華系固体前駆体や液体前駆体の導入ユニットを追加することにより、窒化処理、カルコゲナイド (二硫化モリブデンMoS2など) 層状物質の成膜などにも応用できます。

■特徴・液体燃料 (エタノール) 導入系を搭載、炭化水素ガスが設置できない場所でも使用可能。
・3系統のマスフローガス流量制御系、正確なガス制御が可能。
・真空排気系が標準装備し、真空炉、雰囲気炉などとしても兼用可能。
・コンパクトでしっかりとした筐体設計、卓上実験台などに簡単設置。
・拡張性が高く、あらゆる処理に対応しやすい。

型番
MPCVD-50

シリーズ
CVD装置汎用CVD装置 MPCVD-50

取扱企業
株式会社マイクロフェーズ

カテゴリ

半導体製造

CVD装置

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CVD装置汎用CVD装置 MPCVD-50 MPCVD-50の性能表

商品画像	価格 (税抜)	管状炉常用使用温度	管状炉内寸法	管状炉温度制御	管状炉外形寸法	管状炉電気容量	炉心管材質	炉心管サイズ	ガス制御	導入ガス種	真空計	排気ポンプ	排気ポンプ外形寸法	外形寸法
	要見積もり	400~1,000℃	60mmφ×L260mm	1ゾーンプログラム付温度調節計	W300mm×H200mm×D186mm	700W	石英	OD50mm×ID46mm×L900mm	マスフローコントローラ	キャリアガス：N2 or Ar 還元ガス：H2 炭化水素ガス：C2H2 or C2H4 or CH4	ブルドン管真空計	ロータリーポンプ	W156mm×H200mm×D300mm	W1,100mm×H1,000mm×D500mm