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高耐圧スーパージャンクションMOSFET ICE32S60の性能表

商品画像 価格 (税抜) パッケージ
要見積もり TO220,Full Pak,TO247,Wafer

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使用用途

#電源回路 #インバータ #モータ制御 #照明機器 #通信機器 #車載機器 #産業機器 #医療機器 #民生機器 #太陽光発電 #鉄道機器 #航空宇宙

動作構造

バイポーラ型 MOS型 IGBT型

極性構造

Nチャネル型 Pチャネル型

パッケージ形状

スルーホール型 表面実装型

半導体素材

シリコン型 シリコンカーバイド型 ガリウムナイトライド型

電圧 V

-50 - 0 0 - 50 50 - 200 200 - 1,000 1,000 - 1,500

電流 A

-50 - 0 0 - 20 20 - 80 80 - 160

RDS ON mΩ

0 - 10 10 - 50 50 - 100 100 - 300

VGS th V

-3 - -1 -1 - 1 1 - 3 3 - 7

ID 最大値 A

-40 - 0 0 - 20 20 - 40 40 - 120

Ciss pF

0 - 500 500 - 1,000 1,000 - 5,000 5,000 - 10,000

TJ 最大値 °C

140 - 160 160 - 180

構成

シングル 相補型

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

【パワーMOSFET・MEMS技術基盤ウエハー】のメーカーです。MEMSや貼り付け技術で製造と開発をリードします!

当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術...

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