NX-Wafer | 自動欠陥検査機能を搭載した唯一のウェハーファブ用AFM Park NX-Wafer
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電動XYステージ

200mm : 駆動 275mm×200mm、分解能0.5μm/300mm : 駆動 400mm×300mm、分解能 0.5μm <再現性<1μm

電動フォーカスステージ

Z駆動距離 9mm、直上光学系

試料厚さ許容範囲

最大20mm

電動Zステージ

Z駆動距離 25mm、分解能 0.08μm、再現性<1μm

全スキャンレンジZクリアランス

<2nm、再現性<1nm

COGNEXパターン認識

パターンアライン分解能1/4ピクセル

XYスキャナレンジ

100µm×100µm (Large mode) 、50µm×50µm (Medium mode) 、10µm×10µm (Small mode)

XYスキャナ分解能

0.15nm (Large mode)

Zスキャナレンジ

15µm (Large mode) 、2µm (Small mode)

Zスキャナ分解能

0.016nm (Large mode) 、0.002nm (Small mode)

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ADC

18チャンネル、4高速 ADCチャンネル (64 MSPS) 、24ビット ADC ( X、Y及び Zスキャナポジションセンサー)

DAC

17チャンネル、2高速 DAC チャンネル (64 MSPS) 、20ビット DAC ( X、Y及び Zスキャナポジションセンサ)

SEMI スタンダード S2/S8

床振動ノイズ

<0.5μm/s (10Hz~200Hz、アクティブ防振台使用)

音響ノイズ

>20dB低減 (アクースティックエンクロージャー使用)

設備条件室温 (待機時)

10℃~40℃

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設備条件湿度

30％~60％ (結露が無い事)

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VC-D基準 (6μm/sec)

設備条件音響ノイズ

65dB以下

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真空 : -80kPa、CDA (orN2) : 0.7MPa

設備条件電源

208V-240V、単相、15A (最大)

設備条件総合消費電力

2KW (公称)

設備条件グラウンド抵抗

100オーム以下

200mmシステムレイアウト

2,732mm (幅) ×1,100mm (奥行) x2,400mm (高) 、約2,110kg (コントロールキャビネット含む) 、天井高 2,500mm以下ほか

300mmシステムレイアウト

3,486mm (幅) ×1,450mm (奥行) x2,400mm (高) 、約2,950kg (コントロールキャビネット含む) 、天井高 2,500mm以下ほか

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この製品について

Park NX-Waferは、半導体および関連ファブリケーション向けの業界をリードする自動AFM測定システムです。

ウェハーファブの検査と解析、ベアウェハーと基板の自動欠陥検査、およびCMPプロファイル測定を可能にするPark NX-Waferは、サブオングストロームの高さ精度を持つ最高のナノスケール表面分解能を持ち、チップ先端にダメージを与えずにスキャンを重ねることができます。

Park NX-Waferは、自動チップ交換、ライブモニタリング、リファレンスマークなしのターゲットポジショニング、自動解析などの自動化システム機能を備えており、業界最高水準の半導体AFM装置として位置付けられています。

■特徴・より正確なCMPプロファイル測定を実現する低ノイズ原子間力顕微鏡
・サブオングストロームの表面粗さを高精度に測定し、チップ間のばらつきを最小限に抑制
・欠陥イメージングと解析のための全自動AFMソリューション
・自動チップ交換、ロボットウェハーハンドラーを搭載した全自動システム
・300mmウェハーのスキャンに対応

型番
NX-Wafer

シリーズ
自動欠陥検査機能を搭載した唯一のウェハーファブ用AFM Park NX-Wafer

取扱企業
パーク・システムズ・ジャパン株式会社

カテゴリ

観察機器

走査型プローブ顕微鏡 (SPM)

観察機器

AFM (原子間力顕微鏡)

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自動欠陥検査機能を搭載した唯一のウェハーファブ用AFM Park NX-Wafer NX-Waferの性能表

商品画像	価格 (税抜)	電動XYステージ	電動フォーカスステージ	試料厚さ許容範囲	電動Zステージ	全スキャンレンジZクリアランス	COGNEXパターン認識	XYスキャナレンジ	XYスキャナ分解能	Zスキャナレンジ	Zスキャナ分解能	Zスキャナ検出器雑音	ADC	DAC	CE	床振動ノイズ	音響ノイズ	設備条件室温 (待機時)	設備条件室温 (稼働時)	設備条件湿度	設備条件床振動レベル	設備条件音響ノイズ	設備条件排気系	設備条件電源	設備条件総合消費電力	設備条件グラウンド抵抗	200mmシステムレイアウト	300mmシステムレイアウト
	要見積もり	200mm : 駆動 275mm×200mm、分解能0.5μm/300mm : 駆動 400mm×300mm、分解能 0.5μm <再現性<1μm	Z駆動距離 9mm、直上光学系	最大20mm	Z駆動距離 25mm、分解能 0.08μm、再現性<1μm	<2nm、再現性<1nm	パターンアライン分解能1/4ピクセル	100µm×100µm (Large mode) 、50µm×50µm (Medium mode) 、10µm×10µm (Small mode)	0.15nm (Large mode)	15µm (Large mode) 、2µm (Small mode)	0.016nm (Large mode) 、0.002nm (Small mode)	0.03nm, rms (typical)	18チャンネル、4高速 ADCチャンネル (64 MSPS) 、24ビット ADC ( X、Y及び Zスキャナポジションセンサー)	17チャンネル、2高速 DAC チャンネル (64 MSPS) 、20ビット DAC ( X、Y及び Zスキャナポジションセンサ)	SEMI スタンダード S2/S8	<0.5μm/s (10Hz~200Hz、アクティブ防振台使用)	>20dB低減 (アクースティックエンクロージャー使用)	10℃~40℃	18℃~24℃	30％~60％ (結露が無い事)	VC-D基準 (6μm/sec)	65dB以下	真空 : -80kPa、CDA (orN2) : 0.7MPa	208V-240V、単相、15A (最大)	2KW (公称)	100オーム以下	2,732mm (幅) ×1,100mm (奥行) x2,400mm (高) 、約2,110kg (コントロールキャビネット含む) 、天井高 2,500mm以下ほか	3,486mm (幅) ×1,450mm (奥行) x2,400mm (高) 、約2,950kg (コントロールキャビネット含む) 、天井高 2,500mm以下ほか