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GSA75AA120 | IGBT
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この製品について

■特長

MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホール (正孔) をN-層に注入することで、抵抗値を低下させる電導度変調を利用してMOSFETの高耐圧化に伴う弱点を克服しています。MOSFETより低速となりますが、高耐圧で高速なスイッチングを実現したデバイスです。

■用途

各種インバーター、業務用エアコン、溶接機などの高耐圧の領域に使われています。

  • 型番

    GSA75AA120

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IGBT GSA75AA120の性能表

商品画像 価格 (税抜) 電圧 V 電流 (/chip) A 電流 (/total) A
IGBT-品番-GSA75AA120 要見積もり 1,200 75 75

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コレクタ電流 A

50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400

耐圧 V

500 - 1,000 1,000 - 1,500 1,500 - 2,000 2,000 - 3,000 3,000 - 5,000

ゲート電源内蔵

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株式会社三社電機製作所は、電気機械器具・医療用機械器具・半導体装置の製造・販売を行っている会社です。 1933年3月に三社電機製作所として創業しました。1948年に株式会社三社電機製作所を設立し、2013年には東京証券取...

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