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パワー 窒化ガリウム (GaN) -インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

IGLD60R190D1 | パワー 窒化ガリウム (GaN)
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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型番説明

■優れた効率と信頼性の窒化ガリウムCoolGaN™600V eモードパワートランジスタ CoolGaN™600Vエンハンスメントモード (eモード) パワートランジスタは、高速なターンオンおよびターンオフ、きわめて少ないスイッチング損失を実現し、きわめて高い効率でシンプルなハーフブリッジトポロジを構成可能です。窒化ガリウムCoolGaN™600Vシリーズは、既存の規格を大きく上回る、GaNに適した包括的な基準により認定されています。 データ通信およびサーバ用スイッチング電源、テレコム、アダプタ、充電器、ワイヤレス給電、その他のきわめて高い効率や電力密度が要求される多数のアプリケーションに対応しています。 ■主な特長 ・エンハンスメントモードトランジスタ：ノーマリオフ・スイッチ ・超高速スイッチング ・逆回復電荷がない ・逆導通可能 ・低いゲート電荷、低い出力電荷 ・優れたコミュテーションの堅牢性 ・産業用アプリケーション向けJEDEC規格 (JESD47およびJESD22) 準拠 ■利点 ・システム効率の向上 ・電力密度の向上 ・より高い動作周波数に対応 ・システムコスト削減 ・EMI削減

この製品について

■CoolGaN™：民生用、産業用、車載用アプリケーションにおいて、最高の効率と電力密度を実現するディスクリートおよび統合ソリューション

インフィニオンのGaNトランジスタは、700Vまでの電圧範囲における電力変換にきわめて効率的です。インフィニオンのGaNデバイスは、高速ターンオン／オフ、最小スイッチング損失、豊富なパッケージオプションを取り揃えており、シンプルかつ迅速な市場投入が可能です。 GaNデバイスは、業界標準を上回る広範な基準に適合しています。GaN技術は、システムの全体性能を大幅に向上させ、システムコストを最小限に抑え、使いやすさを向上させます。

■主な特長

・100V～700VのGaNトランジスタ ・強化モード (eモード) ・4A～150Aでの選択可能 ・統合パワーステージ ・幅広いパッケージセレクション ・超高速スイッチング ・逆回復電荷なし ・逆導通対応可能 ・低ゲート電荷、低出力電荷 ・優れたFOM

■主な利点

・システム効率の向上 ・電力密度の向上 ・システム重量の低減

■GaNの駆動

インフィニオンは、シングルチャネルおよびデュアルチャネルの絶縁型および非絶縁型GaNドライバの幅広いポートフォリオを提供しています。EiceDRIVER™ゲートドライバーICは、インフィニオンのGaNパワー半導体と組み合わせることで、電力変換アプリケーションにおける優れた性能とともに、高効率や高電力密度など、多くの利点を提供します。さらに、厳しい条件下でも堅牢性を保証する高い信頼性を提供します。

■アプリケーション

窒化ガリウムのターゲットアプリケーションには、USB-Cアダプターおよび充電器、48V配電、サーバーおよび通信用SMPS、太陽光発電およびエネルギー貯蔵システム、モーター制御、ロボット、ドローンなどがあります。

  • 型番

    IGLD60R190D1

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