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型番説明

■製品情報 ・英語化学名:Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) cobalt ・Code:Co (t-Bu-Me-AMD) 2

この製品について

■概要

半導体ALD/CVDプリカーサーは、半導体薄膜堆積プロセスの中核原料であり、化学気相成長法 (CVD) と原子層堆積法 (ALD) により金属/酸化物/窒化物薄膜を調製することができ、90nm-14nm、さらには7nm先端技術ノードIC製造プロセスで使用される。 集積回路製造プロセスの7nm先端技術ノードでさえ、ロジックチップ、AIチップ、5Gチップ、大容量メモリー、クラウドコンピューティングチップを含むハイエンドチップ製造に広く使用されている。当社は多種のALD/CVD前駆体材料と技術を持っており、トリメチルアルミニウムを含む多種の製品を提供することができる。

  • 型番

    N, N′−ジ−tert−ブチルエチルアミノコバルト

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CVD・ALD材料 N, N′−ジ−tert−ブチルエチルアミノコバルトの性能表

商品画像 価格 (税抜) エレメント 英語化学名 Code
要見積もり Co Bis (N,N'-di-t-butylacetamidinato) cobalt

Co (t-Bu-Me-AMD) 2


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使用用途

#ウエハ製造 #エッチング #薄膜形成 #ドーピング #CMP研磨 #半導体製造 #精密機器製造

物質種類

シリコン ゲルマニウム 化合物半導体

形状

ウエハ シングルクリスタル ポリクリスタル

ドーピング種

n型半導体 p型半導体

特殊特性

高耐圧半導体 高周波半導体

厚さ μm

150 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 1,200 1,200 - 1,400

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  • 本社所在地: 東京都
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