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導電タイプ
サイズ
5mm×10mm、±0.2mm 5mm×20mm、±0.2mm
基板厚
350 ±25um
方位面
A面 (1,120) 面 ±1° M面 (1-100) 面 ±1°
1次オリフラ方位。長さ
オリフラ方位 (1-100) ± 0.5° オリフラ長さ16 ± 1mm
平坦度TTV
15um以下
反りBOW
20um以下
転移欠陥密度
5×105個/cm2以下
有効面積
90%以上
表面仕上げ
Ga面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面:ファイングラウンド (非鏡面)
梱包方法
クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット
型番
GaN-FS-M-N-S取扱企業
株式会社豊港カテゴリ
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商品画像 | 価格 (税抜) | サイズ | 基板厚 | 方位面 | 導電タイプ | 1次オリフラ方位。長さ | 平坦度TTV | 反りBOW | 電気抵抗率 (300K) | 転移欠陥密度 | 有効面積 | 表面仕上げ | 梱包方法 |
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要見積もり |
5mm×10mm、±0.2mm 5mm×20mm、±0.2mm |
350 ±25um |
A面 (1,120) 面 ±1° M面 (1-100) 面 ±1° |
半-絶縁性 |
オリフラ方位 (1-100) ± 0.5° オリフラ長さ16 ± 1mm |
15um以下 | 20um以下 | >106Ω・cm | 5×105個/cm2以下 | 90%以上 |
Ga面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面:ファイングラウンド (非鏡面) |
クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット |