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34 点の製品
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CNT合成,カーボン成膜,ナノセラミック成膜,窒化,カルコゲナイド成膜等に ■目的 CNTを合成したり、粉体試料にカーボンを成膜したり、各...
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粉体表面へのカーボンコート/各種熱処理などに ■目的 Siや黒鉛負極粉末試料の表面にカーボン膜をCVDコートするための回転型管状炉CVD...
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レーザー描画によるパターン成膜が可能 ■概要 ・市販のファイバーレーザー加工機の試料室に、反応性ガス (炭化水素ガスやアンモニアガ...
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ガスのイオン化や前駆体の分解を促進 ■概要 ・横型管状炉熱CVD装置の上流側に、高周波誘導プラズマを発生させることにより、入力ガスあ...
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連続処理による生産量の大幅向上 ■目的 当社が考案した量産用連続CVD処理方式です。十分長い反応管に処理する試料を縦列に並べて置き、...
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水分や酸素を嫌う試料を大気に曝されずに、その表面に金属膜を真空蒸着して回収したい場合があります。 しかし、従来の真空蒸着装置では...
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MPCNT-Basicバージョンを拡張し、フィラメント加熱機構やマルチガス導入機構など、 優れた機能を追加した小型CNT合成装置です。 エタノ...
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炭化水素ガス (CH4やC2H2) を用いたCVD法で触媒基板 (Ni、Cuなど) にグラフェン膜を成長するには、 基板の急冷が重要要素の一つと言われ...
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当社発案の360度回転キュービック基板ホルダーを搭載し、試料設置面積を4倍向上させました。 真空を破らず、1回のプロセスで、4つの成膜...
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■目的 標準サンプルに対して、被検サンプルの比表面積が相対的に高いのか、低いのかを簡単に比較測定する装置です。 ■特徴 ・工...
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垂直配向CNTは、金属やセラミックスなどの耐熱基板に触媒を成膜し、炭素源CVDガス中で基板を650-800℃に加熱して作製されます。 面直方...
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耐熱温度の関係で、ゴムや樹脂などの高分子フィルムにはCNTを直接成長させることはできません。 しかし、無機耐熱基板に垂直配向CNTを一...
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粒状や粉末タイプの試料表面に各種金属薄膜をコートするための真空蒸着装置です。 蒸発源を上方から下向きに蒸発させることを可能にする...
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高分散性CNT[HD-CNT]、または長尺CNT[LL-CNT] を さらに3,000℃焼成することで、完全なグラファイト結晶を有したCNTです (結晶性について...
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CuやZrなどの金属箔の両面に垂直配向CNTを成長させたもので、トータルの厚さは100~200μmです。 現在、VACNT-DSの用途として考えられて...
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垂直配向CNTには、もう一つのユニークな特徴があります。 非常に黒いことです。 一般的に黒いカーボン材料の中でも、ひときわ黒い垂直配...
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カーボンのメタライジング法を用い、CNTにチタンを大量にドープしてチタンカーバイド (TiC) 合金に変身させることできます。 得られたTi...
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カーボンに窒素をドープし、ピリジン型窒素サイトをうまく形成させれば、白金触媒と類似な酸化・還元機能が現われ、 白金代替触媒、ある...
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エタノールはカーボンナノチューブの生成にとって非常に都合のいい原料の一つです。 SWCNTや結晶性の高いCNTが生成されやすい特徴があり...
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カーボンペーパーや金属メッシュの片面あるいは両面にCNTを成長させたもの。 電気伝導性とガス透過性および拡散性を同時に実現すること...
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耐熱温度の関係で、ゴムや樹脂などの高分子フィルムにはCNTを直接成長させることはできません。 しかし、無機耐熱基板に成長させた垂直...
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弊社の 長尺CNT[LL-CNT] あるいは 高分散性CNT[HD-CNT] を 水溶液に分散したものです。 得られる分散液の水溶液に分散した高導電性ペー...
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長尺の多層CNT粉末です。 アスペクト比が高く結晶性も良いことから、架橋効果と導電・補強効果が高いのが特徴です。 As-grownのLL-CNTは...
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固体高分子燃料電池用触媒電極材料は、カーボンブラック担体にPtナノ粒子を担持させたものが主流となっています。 しかし近年、次世代の...
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酸素ガスを供給しながらZn原料を加熱して蒸発させると、Zn蒸気と酸素ガスと反応し、ZnOが生成されます。 六方晶のZnOは、そのC軸の成長...
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硬度が期待されるセラミックス (SiC、WC) 材料にCNTやグラフェンを添加して焼結すると、脆さを補う靱性が生まれることがあります。 もっ...
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現在、当社が推奨しております高分散性が特徴の粉末状CNTです。 バンドル化が顕著でないなど独自の構造から、水等の溶媒に分散しやすく...
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各種金属 (Au, Ag, Cu, Al, Ni, Co) の原料を不活性ガス中で蒸発させると、 金属蒸気が周囲の不活性ガス分子との衝突を繰り返すことによ...
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次世代リチウムイオン電池の負極材の本命はシリコンと目され、世界的に研究開発が繰り広げられています。 シリコン負極材は、現状の黒鉛...
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ナノ構造を有するSiO2出発原料から作製した、ポーラスで不定形のナノ構造を持つSiC材料。 通常の球形SiCに比べ比表面積が大きいため、昇...
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郵便番号 | 〒300-2651 |
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本社住所 | 茨城県つくば市鬼ケ窪1147-9 |
創業年 | 1999年 |
資本金 | 10,000,000円 |
法人番号 | 6050001016497 |
リンク | 株式会社マイクロフェーズ ホームページ |
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