¿Qué es una Memoria Flash?
Es un dispositivo de almacenamiento utilizado para leer y escribir datos.
Los dispositivos más conocidos son las tarjetas SD, las unidades SSD y las memorias USB. Se trata de una memoria no volátil que no pierde sus registros aunque se apague y que actualmente se utiliza en una gran variedad de dispositivos.SSD son las siglas de “solid state drive” (unidad de estado sólido) y suele utilizarse para almacenamiento interno en ordenadores portátiles y otros dispositivos.
La memoria flash puede dividirse en dos tipos principales: NAND y NOR. Cada una tiene diferentes velocidades de lectura y escritura y diferentes aplicaciones.
Usos de la Memoria Flash
Los principales productos en los que se utiliza la memoria Flash son las memorias USB, las SSD y las tarjetas SD, etc. Las SSD son el mismo medio de almacenamiento que los discos duros, etc. Sin embargo, como no leen y escriben datos utilizando un cabezal de disco como las HDD, las SSD se caracterizan por su mayor velocidad de procesamiento, ahorro de energía y resistencia a los golpes y vibraciones en comparación con las HDD. Las SSD se caracterizan por su alta velocidad de procesamiento, su bajo consumo energético y su resistencia a vibraciones y golpes. En los últimos años, las SSD se han convertido en una opción popular para el almacenamiento interno en ordenadores portátiles.
Las memorias USB son dispositivos de almacenamiento externo con un puerto USB para leer y escribir datos y que resultan cómodos de transportar; las tarjetas SD son soportes de almacenamiento tipo tarjeta que se utilizan en una gran variedad de dispositivos electrónicos, como smartphones, cámaras digitales y videoconsolas.
Principios de la Memoria Flash
Las memorias Flash pueden dividirse en dos tipos principales: las de tipo NAND y las de tipo NOR. La estructura básica de los elementos de almacenamiento de los tipos NAND y NOR es idéntica, pero el cableado interno es diferente.
Debido a las diferencias en el cableado, las características de los tipos NOR y NAND difieren.
1. Tipo NOR
El tipo NOR tiene un bajo nivel de integración, pero permite el acceso byte a byte. Se caracteriza por una escritura lenta pero un acceso aleatorio rápido.
2. El Tipo NAND
Por el contrario, el tipo NAND es adecuado para una alta integración y tiene velocidades de escritura relativamente altas. Se caracteriza por un acceso basado en bloques y un acceso aleatorio lento.
La memoria flash NAND tiene la ventaja de la alta densidad de celdas de memoria, pero presenta el inconveniente de que pueden producirse errores de bit. Por este motivo, es necesario instalar un circuito de código de corrección de errores (ECC).
Un código de corrección de errores es un valor que se asigna cuando se leen o escriben datos. El código de corrección de errores coincide con el código de corrección de errores para comprobar si los datos leídos son realmente el valor escrito en la memoria flash.
Tipos de Memoria Flash
La memoria flash NAND se clasifica en los siguientes tipos según las características de las celdas, que son las unidades utilizadas para almacenar la información.
1. NAND SLC
La memoria flash NAND capaz de almacenar un bit de información por celda se denomina NAND SLC (celda de un solo nivel). Aunque se caracteriza por su alta durabilidad, tiene el inconveniente de su baja capacidad.
2 MLC NAND
La memoria flash NAND que puede almacenar dos bits de información por celda se denomina NAND MLC (celda multinivel). Es barata, pero tiene la desventaja de que sus velocidades de lectura y escritura y su resistencia son inferiores a las de la NAND SLC.
Más Información sobre la Memoria Flash
Almacenamiento de Datos en el Tipo NAND
Cuando se almacenan datos en una memoria flash, la unidad más pequeña de almacenamiento se denomina celda, que consiste en un aislante túnel y una puerta flotante en un semiconductor.
Los datos se almacenan almacenando y liberando electrones en la puerta flotante. Cuando los datos se escriben o se borran, los electrones penetran y se mueven a través de la película de óxido de túnel, haciendo que ésta se degrade.
A medida que esta película de óxido de túnel se deteriora, la célula es incapaz de almacenar datos correctamente y llega al final de su vida útil. Se dice que la vida útil aproximada de una célula individual oscila entre 1.000 y 10.000 ciclos de escritura y borrado.