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IGBT7 モジュール-FF800R12KE7_E
IGBT7 モジュール-インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

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1200V TRENCHSTOP™ IGBT7：高出力密度および最適化されたスイッチング。950 V/1200V TRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術は、電力損失を大幅に削減し、高い制御性を提供する最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいています。このチップは特に産業用ドライブ・アプリケーション向けに最適化されているため、静的損失の大幅低減、高電力密度、よりソフトなスイッチングを実現できます。さらに、パワーモジュールで過負荷状態での最大許容動作温度を175℃まで高めることにより、電力密度を大幅に高めることができます。 インフィニオンのEasy 1BおよびEasy 2Bファミリーには、1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7およびエミッタ制御ダイオード7技術が採用されています。製品ラインアップとしては、10 Aから100 A までのPIM (Power Integrated Module) および6パック構成を取り揃えています。本チップは、特に産業用ドライブアプリケーション向けに最適化されており、はるかに低い導通損失、より高い電力密度、よりソフトなスイッチングを実現しています。TRENCHSTOP™ IGBT4をIGBT7に置き換える際は、IGBTを最大限活用する3つのオプションがあります。

■特徴

・電力クラス拡大：IGBT7では、同じハウジングと同じシステム冷却で電流を30%増加可能 ・フレームサイズ小型化：IGBT7では、小さいハウジングでも出力電力が11%増加するとともにシステム設計を簡素化 ・ヒートシンク簡素化：同じ出力電力でヒートシンクサイズを40%削減

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    IGBT7 モジュール

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