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ハイボルテージパワーオペアンプ PA89/PA89A-PA89
ハイボルテージパワーオペアンプ PA89/PA89A-Apex Microtechnology, Inc.

ハイボルテージパワーオペアンプ PA89/PA89A
Apex Microtechnology, Inc.

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この製品について

■特長

・1,140V P-P信号出力 ・広い電源範囲：±75V～±600V ・プログラム可能な電流制限 ・75mA連続出力電流 ・気密封止されたパッケージ ・入力保護

■アプリケーション

・ピエゾ式ポジショニング ・高電圧計測 ・静電偏向装置 ・半導体検査装置

■説明

PA89は、75mAまでの出力電流に対応した超高電圧のMOSFETオペアンプです。出力電圧は 1,000V p-p以上の振幅が可能です。安全動作領域 (SOA) は、セカンドブレークダウンの制限がなく、適切な電流制限抵抗を選択することで、あらゆる種類の負荷に対応できます。 高いカスコード入力回路の構成と 120dBの開ループゲインにより、高精度を実現しています。すべての内部バイアスは、ブートストラップされたツェナ-MOSFET電流源を基準としているため、PA89は広い電源範囲と優れた電源遮断特性を発揮します。 MOSFET出力段は、クラスA/Bのリニア動作にバイアスされています。外部補正機能により、柔軟な対応が可能です。 PA89の気密封止は、MIL-STD-883メソッド1014の要件に対して100%テストされています。このハイブリッド集積回路は、ベリリウム (BeO) 基板、厚膜抵抗、セラミックコンデンサー、半導体チップを採用し、信頼性の向上と小型化、高性能化を実現しました。超音波接合されたアルミ線により、あらゆる動作温度で信頼性の高い相互接続を実現しています。 ※MO-127の高電圧、パワーディップ (Power Dip™) パッケージは、気密封止され、電気的に絶縁されています。圧縮可能なサーマルワッシャーを使用した場合、製品の保証は無効となります。

■注意事項

PA89はMOSFETのトランジスタで構成されています。ESDの取り扱いには注意が必要です。内部基板にはベリリウム (BeO) が含まれています。封を切らないでください。誤って破損した場合は、有毒ガスの発生を避けるために、粉砕、機械加工、850℃を超える温度での処理はしないでください。

  • シリーズ

    ハイボルテージパワーオペアンプ PA89/PA89A

  • 利用シーン

    電子・電気機器業界用 / 航空・宇宙業界用 / 医療業界用

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Apex Microtechnologyは、産業、防衛・航空宇宙、医療、半導体装置市場において、電流、電圧、速度の高精度制御を必要とするアプリケーションに向けて、性能、品質、信頼性の面で業界をリードするパワーアナログ製品...

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