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この製品について

当社はGaN（窒化ガリウム）基板、GaNテンプレート、Power用エピウェーハ、RGB Micro LED Epiウェーハ、Hybrid Integrated RGB Micro LEDチップなど、最先端のGaN技術を活用したソリューションを提供いたします。

型番
この商品には3種類の型番があります

シリーズ
GaN-on-Sapphire BGR Micro LED EpiWafer

取扱企業
株式会社豊港

カテゴリ

電源

GaNパワーデバイス

半導体製造

半導体材料

化学物質

ガリウム

化学物質

窒化ガリウム

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GaN-on-Sapphire BGR Micro LED EpiWafer 品番3件

フィルター

	商品画像	品番	価格 (税抜)	直径 100 ± 0.2 mm 50.8 ± 0.2 mm 150 ± 0.2 mm	Sapphire厚み 650 ± 25 μm 430 ± 25 mm 1300 ± 25 μm	青色LEDの波長 465 ± 10 nm 475 ± 3 nm	緑色LEDの波長 525 ± 10 nm 465 ± 10 nm 521 ± 5 nm	赤色LEDの波長 630 ± 10 nm 630 ± 8 nm	有効面積 >90% (edge and macro defects exclusion) >90% (Excluding edge and macro defects)
		4-inch GaN-on-Sapphire BGR Micro LED EpiWafer	要見積もり	100 ± 0.2 mm	650 ± 25 μm	465 ± 10 nm	525 ± 10 nm	630 ± 10 nm	>90% (edge and macro defects exclusion)
		2-inch GaN-on-Sapphire BG Micro LED EpiWafer	要見積もり	50.8 ± 0.2 mm	430 ± 25 mm	465 ± 10 nm	465 ± 10 nm	-	>90% (Excluding edge and macro defects)
		6-inch GaN-on-Sapphire BGR Micro LED EpiWafer	要見積もり	150 ± 0.2 mm	1300 ± 25 μm	475 ± 3 nm	521 ± 5 nm	630 ± 8 nm	>90% (edge and macro defects exclusion)

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入力電圧 VAC

90 - 100 100 - 240 240 - 270

出力電圧 V

3 - 5 5 - 20 20 - 30

最大出力 W

10 - 50 50 - 70 70 - 110

出力電流 A

1 - 3 3 - 5 5 - 10

MTBF 時間

0 - 50,000 50,000 - 100,000 100,000 - 300,000

動作温度 ℃

-30 - 0 0 - 20 20 - 30 30 - 40

外観寸法 mm

0 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 80 80 - 110

ポート数

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