全反射蛍光X線分析装置ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析 TXRF 3760-TXRF 3760

全反射蛍光X線分析装置ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析 TXRF 3760
株式会社リガク

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この製品について

■ロータ型高出力X線発生装置と新設計入射X線モノクロメーターを採用ダイレクトTXRF測定法で遷移金属LLD10^8atoms/cm2レベルを実現。封入型X線管の1/3の測定時間で同じ精度が得られ高スループットを実現しました。

概要
■1ターゲット3ビーム方式を採用3種類の分光結晶により、測定元素に最適な単色化X線ビームを取り出し、汚染元素励起に使用する特許方式です。軽元素測定用のW-Mα線は、Siを励起しないため、Na，Mg，Al分析が可能になりました。Na～Uまで連続的に高精度自動分析を行います。

■回折線除去により散乱線の影響を極小化高次反射を抑えた光学系とX-Y-θ駆動ステージを採用し、X線入射方位自動選択機能により基板からの回折線を無くし、散乱線の妨害を極小化した高S/N測定が行えます。ウェーハ全面の正確で高精度な微量分析が可能です。

■異物検査座標データとの座標リンクが可能異物検査装置の座標データをTXRF装置に取り込み、パーティクル存在箇所の汚染元素分析が可能です。独自のアルゴリズム採用の点滴痕サーチ機能はすばやく正確な座標が求められます。

■ウェーハ面内高速汚染スクリーニング「Sweeping-TXRF機能」ダイレクトTXRF法でウェーハ面内をもれなく高速測定し、汚染元素の分布状態を明らかにするSweeping-TXRF法が使用できます。従来の面内5点や9点といった代表座標測定では捉えられなかったウェーハ全面の汚染分析を短時間で行います。200mmウェーハ全面の5×10^10atoms/cm2の汚染検出を僅か30分で完了します。汚染元素の分布状態のほか、全面の測定値を積算してウェーハ面内平均汚染濃度も算出可能です。

■エッジエクスクルージョン0mm非破壊・非接触汚染測定「ZEE-TXRF機能」これまでTXRF法では測定できなかったウェーハエッジ近傍の高感度測定を実現しました。汚染が集中するエッジ部の汚染分析がTXRFで可能になりました。

■各種CIM/FAに対応ホストコンピューターとSECS通信可能で、各種CIM/FAに対応します。オープンカセットの他、SMIFPODにも対応可能 (オプション) です。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
全反射蛍光X線分析装置ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析 TXRF 3760

取扱企業
株式会社リガク

カテゴリ

アナライザ

X線分析装置

検査装置

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測定機器

蛍光X線分析装置

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全反射蛍光X線分析装置ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析 TXRF 3760 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	手法	用途	主要コンポーネント	制御 (PC)	本体寸法	質量	電源	テクノロジー	オプション
	TXRF 3760	要見積もり	全反射蛍光X線 (TXRF)	ウェーハ汚染を測定するためのNaからUまでの元素分析	最大200 mmウェーハ対応XYθサンプルステージシステム、真空ウェーハ内ロボット搬送システム、ECS / GEM通信ソフトウェア	内部PC、MS Windows® OS	1,000 (W) x 1,760 (H) x 948 (D) mm	100 kg (本体)	三相 200 VAC 50/60 Hz, 100 A	液体窒素フリー検出器を備えた3ビームTXRFシステム	スイープTXRFソフトウェア (「ホットスポット」を識別するためにウェーハ表面上の汚染物質分布のマッピングを可能にする。ゼロエッジ除外で測定を可能にするZEE-TXRF機能)