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パワーMOSFET EETMOS5シリーズ P26LF6GLK-P26LF6GLK
パワーMOSFET EETMOS5シリーズ P26LF6GLK-新電元工業株式会社

パワーMOSFET EETMOS5シリーズ P26LF6GLK
新電元工業株式会社

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この製品について

当社のMOSFETは、低耐圧から高耐圧まで幅広いラインナップを揃えています。

■EETMOSシリーズ (Nchシングル/VDSS 40〜150V) ：トレンチゲート構造・レイアウトの最適化によりQgを低減し、業界トップレベルの性能を有します。

・EETMOS2：Ron、Qgバランス型 ・EETMOS3：低Ron、低Qg ・EETMOS4：超低Ron、低Qg

■Hi-PotMOSシリーズ (Nchシングル/VDSS 250〜600V) ：業界トップレベルの高破壊耐量を持ち、di/dtおよびアバランシェの全数選別を実施しています。

・Hi-PotMOS：高破壊耐量 (アバランシェ保証、di/dt全数選別対応) ・VX3：車載対応、高破壊耐量 (アバランシェ保証、di/dt全数選別対応、高ESD耐量)

■特長

・N-channel ・小型面実装 ・低オン抵抗 ・4.5V駆動 ・低容量 ・ハロゲンフリー ・端子Pb free

  • シリーズ

    パワーMOSFET EETMOS5シリーズ P26LF6GLK

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パワーMOSFET EETMOS5シリーズ P26LF6GLK 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 極性 ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) ドレイン電流 (直流) ID (A) 全損失 PT (W) チャネル温度 Tch (℃) ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ.) (Ω) 入力容量 Ciss (typ.) (pF) ゲート全電荷量 Qg (typ,) (nC) ゲートしきい値電圧 Vth (typ.) (V) パッケージ (ハウスネーム) パッケージ (JEDECコード) 車載 シリーズ 保存温度 Tstg (℃) ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) ソース電流 (直流) IS (A)
パワーMOSFET EETMOS5シリーズ P26LF6GLK-品番-P26LF6GLK

P26LF6GLK

要見積もり

N-channel

60

26

50

-55 to 175

記号：RDS (ON)
0.0147

581

14.9

2

LF

MO-235B similar

YES

EETMOS5

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±20

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電流 A

-35 - -1 -1 - 1 1 - 10 10 - 20 20 - 60 60 - 110 110 - 160

オン抵抗 mΩ

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 5,000 5,000 - 10,000 10,000 - 25,000

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新電元工業株式会社

会社概要

新電元工業株式会社は、東京都千代田区に本社を置く、半導体、電装製品、電源の製造及び販売を主な事業内容とする企業である。 1949年、設立。 1958年、株式公開、東京証券取引所場外店頭銘柄として売買開始。 1961年、...

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  • 本社所在地: 東京都

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