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パワーMOSFET EETMOS2シリーズ P60B4EL取扱企業
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MOS形電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 シリコンPチャンネルMOS形 INJ0103AM1
イサハヤ電子株式会社
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商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 極性 | ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) | ドレイン電流 (直流) ID (A) | 全損失 PT (W) | チャネル温度 Tch (℃) | ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ.) (Ω) | 入力容量 Ciss (typ.) (pF) | ゲート全電荷量 Qg (typ,) (nC) | ゲートしきい値電圧 Vth (typ.) (V) | パッケージ (ハウスネーム) | パッケージ (JEDECコード) | シリーズ | 保存温度 Tstg (℃) | ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
P60B4EL |
要見積もり |
N-channel |
40 |
60 |
62.5 |
150 |
記号:RDS (ON) |
2,900 |
57 |
2 |
FB |
TO-252AA |
EETMOS2 |
-55 to 150 |
±20 |
MOSFETをフィルターから探すことができます
使用用途
#DCDCコンバータ #LED照明 #インバータ #バッテリ保護 #モータ駆動 #家電制御 #自動車 #電源装置 #無線通信構造
Nチャネル Pチャネル形式
表面実装型 スルーホール型電圧 V
-50 - 0 0 - 10 10 - 50 50 - 200 200 - 500 500 - 700 700 - 1,300電流 A
-35 - -1 -1 - 1 1 - 10 10 - 20 20 - 60 60 - 110 110 - 160オン抵抗 mΩ
0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 5,000 5,000 - 10,000 10,000 - 25,000Ciss pF
0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 7,000ID 最大値 A
-50 - 0 0 - 10 10 - 100 100 - 150