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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N80P-IXFA10N80P
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N80P-Littelfuseジャパン合同会社

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Littelfuseジャパン合同会社



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この製品について

NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特性を提供します。

■メリット

・簡単な取り付け ・省スペース

■特長

・国際規格パッケージ ・dv/dtダイナミック定格 ・アバランシェ定格 ・高速内部整流器 ・Low QG and RDS (on) ・ドレイン - タブ間の低キャパシタンス ・低パッケージインダクタンス

  • シリーズ

    パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N80P

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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N80P 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) PD (W) trr、最大 (ns)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N80P-品番-IXFA10N80P

IXFA10N80P

要見積もり

800

1.1

10

40

0.42

シングル

TO-263

2,050

300

250

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