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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH1N170DHV-IXTH1N170DHV
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH1N170DHV-Littelfuseジャパン合同会社

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Littelfuseジャパン合同会社



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この製品について

デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲートバイアス電圧が保たれますが、それ以外は類似のMOSFETと同じような特性を備えています。レベルシフト、ソリッドステートリレー、電流レギュレータ、能動負荷に適しています。

■特長

・常時動作 ・リニアモード耐性 ・内部標準パッケージ ・UL 94 V-0可燃性規格適合 (成形エポキシ)

  • シリーズ

    パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH1N170DHV

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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH1N170DHV 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) PD (W) VGS、オフ-最大 (V) CRSS (pF)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH1N170DHV-品番-IXTH1N170DHV

IXTH1N170DHV

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