全てのカテゴリ

閲覧履歴

パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A-IXFH60N60X2A
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A-Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A
Littelfuseジャパン合同会社



無料
見積もり費用は無料です、お気軽にご利用ください

電話番号不要
不必要に電話がかかってくる心配はありません

この製品について

IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプリケーションに最適化されています。 MOSFETの内部高速ボディダイオードHiPerFETは、特にハーフブリッジまたはフルブリッジのスイッチングトポロジーにおいて、非常に穏やかな回復特性を示し、電磁妨害 (EMI) を最小限に抑えます。逆回復電荷が低く、逆回復時間が短いボディダイオードは、高速スイッチング中にエネルギーをすべて除去し、装置の故障を回避して高い効率を達成します。

■特長

・国際規格パッケージ ・低いRDS (ON) およびQG ・アバランシェ定格 ・低パッケージインダクタンス

■利点

・高出力密度 ・簡単な取り付け ・省スペース

  • シリーズ

    パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A

この製品を共有する


30人以上が見ています


無料
見積もり費用は無料のため、お気軽にご利用ください

電話番号不要
不必要に電話がかかってくる心配はありません

パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) trr、TYP (ns) PD (W)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A-品番-IXFH60N60X2A

IXFH60N60X2A

要見積もり

600

0.052

60

108

0.16

シングル

TO-247

6,300

180

780

フィルターから探す

SiC MOSFETをフィルターから探すことができます

耐圧 V

100 - 300 300 - 600 600 - 900 900 - 1,300 1,300 - 1,700

電流 A

1 - 100 100 - 200 200 - 500 500 - 800

オン抵抗 mΩ

0 - 50 50 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 16,000

ゲート電荷 nC

30 - 70 70 - 100 100 - 130 130 - 140

入力容量 pF

1,000 - 3,000 3,000 - 4,000 4,000 - 7,000

逆回復時間 ns

100 - 200 200 - 300 300 - 600

類似製品

SiC MOSFETの中でこの商品と同じ値をもつ製品

VDSS (V)600 SiC MOSFET

この商品を見た方はこちらもチェックしています

SiC MOSFETをもっと見る

この商品の取り扱い会社情報

関連キーワード

最近見た製品

Copyright © 2025 Metoree