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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A-IXFH60N60X2A
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A-Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A
Littelfuseジャパン合同会社



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この製品について

IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプリケーションに最適化されています。 MOSFETの内部高速ボディダイオードHiPerFETは、特にハーフブリッジまたはフルブリッジのスイッチングトポロジーにおいて、非常に穏やかな回復特性を示し、電磁妨害 (EMI) を最小限に抑えます。逆回復電荷が低く、逆回復時間が短いボディダイオードは、高速スイッチング中にエネルギーをすべて除去し、装置の故障を回避して高い効率を達成します。

■特長

・国際規格パッケージ ・低いRDS (ON) およびQG ・アバランシェ定格 ・低パッケージインダクタンス

■利点

・高出力密度 ・簡単な取り付け ・省スペース

  • シリーズ

    パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A

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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) VDSS (V) RDS (ON) ,max @ 25 ℃ (Ω) ID, cont @ 25 ℃ (A) ゲート電荷 (nC) RthJC (K/W) 構成 パッケージタイプ CISS (pF) trr、TYP (ns) PD (W)
パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A-品番-IXFH60N60X2A

IXFH60N60X2A

要見積もり

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シングル

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