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SiC用超高温プロセス炉-SiC用超高温プロセス炉
SiC用超高温プロセス炉-株式会社エピクエスト

SiC用超高温プロセス炉
株式会社エピクエスト



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この製品について

■特徴

・6インチまで対応 ・高温成長可能 (MAX2,200℃) ・急速昇温可能 (1,000℃→2,000℃まで1分以内) ・カーボンフリー ・超高真空仕様 (極低リークレート) ・完全自動化 (プロセス、搬送)

  • シリーズ

    SiC用超高温プロセス炉

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SiC用超高温プロセス炉 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 均熱領域 最高加熱温度 到達圧力 チャンバ構成
SiC用超高温プロセス炉-品番-SiC用超高温プロセス炉

SiC用超高温プロセス炉

要見積もり

160mmΦ×65mmH

MAX2,200℃

6.6×10^-7Pa

2チャンバ構成 (加熱室、導入室)

フィルターから探す

真空炉をフィルターから探すことができます

最高温度 ℃

600 - 1000 1000 - 1200 1200 - 1400 1400 - 1600 1600 - 2000 2000 - 2400

常用温度 ℃

500 - 600 600 - 800 800 - 1000 1000 - 1200 1200 - 1400 1400 - 1600 1600 - 2000 2000 - 2200

消費電力 KW

0 - 20 20 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 250 250 - 300

到達真空度 Pa

0 - 0.1 0.1 - 1 1 - 10 10 - 100

加熱方式

輻射加熱 直接通電 抵抗加熱

冷却方式

全周 上下 自然冷却 油焼入・ガス冷 ガス冷

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

株式会社エピクエストは2000年に設立し、主にMBE装置、MOCVD装置の開発、製造を行っている会社です。 MBEやMOCVD装置は、天然にない人工結晶を作製する技術であるエピキタシー技術を基盤としており、結晶を成...

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  • 本社所在地: 京都府
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