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MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ MP1918-MP1918
MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ MP1918-MPSジャパン合同会社

MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ MP1918
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この製品について

■概要

MP1918は、ハーフブリッジまたは同期アプリケーションで、エンハンスメントモードの窒化ガリウム (GaN) FETまたはゲートしきい値電圧が低いNチャネルMOSFETを駆動するように設計された100Vハーフブリッジドライバです。 MP1918は、独立したハイサイド (HS) とローサイド (LS) のパルス幅変調 (PWM) 入力を備えています。また、ハイサイド (HS) ドライバ電圧のブートストラップ技術も提供し、最大100Vで動作できます。新しい充電技術により、HSドライバの電圧がVCC電圧 (VCC) を超えることを防ぎ、ゲート電圧がGaN FETの最大ゲートソース間電圧定格を超えることを防ぎます。 MP1918には2つの独立したゲート出力があり、ゲートループにインピーダンスを追加することでターンオン機能とターンオフ機能を独立して調整できます。MP1918は数MHzまで動作可能です。MP1918は、ウェッタブルフランクのQFN-14 (3mm x 3mm) パッケージで提供されます。

■機能と利点

・独立したハイサイド (HS) およびローサイド (LS) のトランジスタ間ロジック (TTL) 入力を実行 ・100VDCまで動作するハイサイド (HS) フローティングバイアス電圧レール ・調整可能なターンオンおよびターンオフ機能用の独立したゲート出力 ・内部ブートストラップ (BST) スイッチ電源電圧クランプ ・3.7V〜5.5VのVCC電圧 (VCC) ・0.27Ω / 1.2Ω プルダウン / プルアップ抵抗 ・高速伝播時間 ・優れた伝播遅延のマッチング (通常1.5ns) ・ウェッタブルフランクのQFN-14 (3mm x 3mm) パッケージで提供

■入手可能な製品番号

・MP1918GQE-Z MP1918GQE-P ・PとZで終わる部品番号は同じ部品です。PとZはリールサイズのみを示します

  • シリーズ

    MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ MP1918

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