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MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ、AEC-Q100 認定 MPQ1918-AEC1-MPQ1918-AEC1
MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ、AEC-Q100 認定 MPQ1918-AEC1-MPSジャパン合同会社

MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ、AEC-Q100 認定 MPQ1918-AEC1
MPSジャパン合同会社

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この製品について

■概要

MPQ1918-AEC1は、ハーフブリッジまたは同期アプリケーションで、エンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FETまたはゲートしきい値電圧が低いNチャネルMOSFETを駆動するように設計されています。 MPQ1918-AEC1は、独立したハイサイド (HS) とローサイド (LS) のパルス幅変調 (PWM) 入力を備えています。また、HSドライバ電圧のブートストラップ技術も提供し、最大100Vで動作できます。新しい充電技術により、HSドライバの電圧がVCC電圧 (VCC) を超えることを防ぎ、ゲート電圧がGaN FETの最大ゲート・ソース間電圧定格を超えることを防ぎます。 MPQ1918-AEC1には2つの独立したゲート出力があり、ゲートループにインピーダンスを追加することでターンオン機能とターンオフ機能を独立して調整できます。MPQ1918-AEC1は数MHzまで動作可能です。MPQ1918-AEC1は、ウェッタブルフランクのFCQFN-14 (3mm x 3mm) パッケージで提供されます。

■機能と利点

・独立したハイサイド (HS) およびローサイド (LS) TTLロジック入力 ・100VDCまで動作するHSフローティングバイアス電圧レール ・調整可能なターンオンおよびターンオフ機能用の独立したゲート出力 ・内部ブートストラップスイッチ供給電圧クランプ ・3.7V〜5.5VのVCC電圧 (VCC) 範囲 ・0.27Ω / 1.2Ω プルダウン / プルアップ抵抗 ・高速伝播時間 ・優れた伝播遅延のマッチング (通常1.5ns) ・ウェッタブルフランクのFCQFN-14 (3mm x 3mm) パッケージで提供 ・AEC-Q100 グレード1準拠

■入手可能な製品番号

・MPQ1918GQE-AEC1-Z MPQ1918GQE-AEC1-P ・PとZで終わる部品番号は同じ部品です。PとZはリールサイズのみを示します

  • シリーズ

    MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ、AEC-Q100 認定 MPQ1918-AEC1

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MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ、AEC-Q100 認定 MPQ1918-AEC1 品番1件

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商品画像 品番 価格 (税抜) 入力電圧 (最小) (V) 入力電圧 (最大) (V) Peak Ipull-up (A) Peak Ipull-down (A) trise (ns) tfall (ns) Turn-On Delay (ns) Turn-Off Delay (ns) パッケージ (mm) グレード
MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ、AEC-Q100 認定 MPQ1918-AEC1-品番-MPQ1918-AEC1

MPQ1918-AEC1

要見積もり

3.6

5.5

1.6

5

5

3

20

20

FCQFN-14 (3x3)

Automotive

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電源電圧: 5 - 10V

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ターゲットIGBTクラス V

600 - 1,000 1,000 - 1,500 1,500 - 2,000 2,000 - 3,300

出力ピーク電流 A

0 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 30 30 - 40

電源電圧 V

0 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 40 40 - 60

絶縁耐圧 Vrms

2,500 - 3,000 3,000 - 4,000 4,000 - 5,000 5,000 - 6,000

1回路あたりの出力電流 mA

80 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400

内蔵駆動回路数

1 - 2 2 - 3 3 - 4 4 - 5 5 - 7

短絡保護機能

あり なし

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