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MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ、AEC-Q100 認定 MPQ1918-AEC1-MPQ1918-AEC1
MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ、AEC-Q100 認定 MPQ1918-AEC1-MPSジャパン合同会社

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この製品について

■概要

MPQ1918-AEC1は、ハーフブリッジまたは同期アプリケーションで、エンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FETまたはゲートしきい値電圧が低いNチャネルMOSFETを駆動するように設計されています。 MPQ1918-AEC1は、独立したハイサイド (HS) とローサイド (LS) のパルス幅変調 (PWM) 入力を備えています。また、HSドライバ電圧のブートストラップ技術も提供し、最大100Vで動作できます。新しい充電技術により、HSドライバの電圧がVCC電圧 (VCC) を超えることを防ぎ、ゲート電圧がGaN FETの最大ゲート・ソース間電圧定格を超えることを防ぎます。 MPQ1918-AEC1には2つの独立したゲート出力があり、ゲートループにインピーダンスを追加することでターンオン機能とターンオフ機能を独立して調整できます。MPQ1918-AEC1は数MHzまで動作可能です。MPQ1918-AEC1は、ウェッタブルフランクのFCQFN-14 (3mm x 3mm) パッケージで提供されます。

■機能と利点

・独立したハイサイド (HS) およびローサイド (LS) TTLロジック入力 ・100VDCまで動作するHSフローティングバイアス電圧レール ・調整可能なターンオンおよびターンオフ機能用の独立したゲート出力 ・内部ブートストラップスイッチ供給電圧クランプ ・3.7V〜5.5VのVCC電圧 (VCC) 範囲 ・0.27Ω / 1.2Ω プルダウン / プルアップ抵抗 ・高速伝播時間 ・優れた伝播遅延のマッチング (通常1.5ns) ・ウェッタブルフランクのFCQFN-14 (3mm x 3mm) パッケージで提供 ・AEC-Q100 グレード1準拠

■入手可能な製品番号

・MPQ1918GQE-AEC1-Z MPQ1918GQE-AEC1-P ・PとZで終わる部品番号は同じ部品です。PとZはリールサイズのみを示します

  • シリーズ

    MOSFETドライバ 100V、高周波、ハーフブリッジGaN / MOSFETドライバ、AEC-Q100 認定 MPQ1918-AEC1

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