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個別半導体製品 IGBT - アレイ-IXBF9N160G
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個別半導体製品 IGBT - アレイ
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■概要

アレイ形式の絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) は、高電力および高周波アプリケーションを管理する上で重要です。これらのコンポーネントは、MOSFETの制御の容易さと、バイポーラ トランジスタの高電流および低飽和電圧の特徴を兼ね備えています。 アレイ構成により、コンパクトで効率的な電力管理が可能になり、産業機械、再生可能エネルギー システム、電気自動車での使用に最適です。トップ メーカーは、厳格な業界標準を満たすIGBTアレイを提供し、信頼性と効率性に優れたパフォーマンスを保証します。 高度な熱管理と堅牢な構造を備えたIGBTアレイは、厳しい動作条件にも対応できるため、現代のパワーエレクトロニクスには欠かせないものとなっています。コンパクトな設計により、システム全体のサイズが縮小され、効率が向上します。 説明

■IGBT 1,600V 7A 70W I4PAC

・高電圧BIMOSFETTMは、電圧降下が大幅に低い高電圧MOSFETの代替品です。MOSFET互換の制御、10Vのターンオンゲート電圧、高周波動作のための高速スイッチング、逆導通機能 ・分離された背面、ヒートシンクへの沿面距離の拡大、 高電圧ピン間の沿面距離の拡大、アプリケーションに適したピン配置、高い信頼性、業界標準の概要

  • シリーズ

    個別半導体製品 IGBT - アレイ

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個別半導体製品 IGBT - アレイ 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) ゲートチャージ Win Source 部品番号 製造元 シリーズ パッケージ 電圧 - 定格 寸法 幅 気流 静圧
個別半導体製品 IGBT - アレイ-品番-IXBF9N160G

IXBF9N160G

要見積もり

34nC

WS1308587-IXBF9N160G

サンオンファン

マグレブ® MA

箱

220~240VAC

正方形 - 長さ70mm x 高さ70mm

25.00mm

29.0CFM (0.812m3/分)

0.180 in H2O (44.8Pa)

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コレクタ電流 A

50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400

耐圧 V

500 - 1,000 1,000 - 1,500 1,500 - 2,000 2,000 - 3,000 3,000 - 5,000

ゲート電源内蔵

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