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非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-MARY-102ST
非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-ファイブラボ株式会社

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)
ファイブラボ株式会社



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この製品について

■タイプ

手動・自動・多入射・裏面除去機能

■装置概要

エリプソメーターとは、物質表面での光の入反射光の偏光状態の変化を測定し、薄膜の厚さ、屈折率や吸収係数などの光学定数、或いはバルク材の光学定数を解析する装置です。非接触・非破壊にて測定が行えます。

■特徴

MARY-102は、弊社の光計測技術を基に、小型・低価格・高精度・使い易さを追求して開発されました。シミュレーション機能等を充実させた研究用ソフトウェアの他に、ルーチン作業に適した工業用ソフトウェアもご選択いただけます。測定方式に回転位相子法を採用している為、回転検光子法では測定しにくいデルタの領域も位相板の出し入れ無しで高精度に測定でき、ゾーン判定もすばやく行われます。

■手動θ-Yステージにて自動多点測定が可能です。マッピング測定も可能で、結果を3次元鳥瞰図にて表示も可能です。

・自動θ軸 ストローク:360度 分解能:0.1度 ・自動Y軸 ストローク:120mm 分解能:0.1mm" 他にも品番がございます。

  • シリーズ

    非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)

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非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置) 品番10件

フィルター
商品画像 品番 価格 (税抜)
非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102ST

MARY-102ST

要見積もり

回転位相子法 (RQ法)

0.8mW HeNeレーザ (λ@632.8nm)

0.8mmφ

固定

固定

Δ=±0.01°
ψ=±0.01°
@SiO2 (1,000Å) /Si

最小0.05秒

DOS/Vパソコン

300W×400D×450Hmm

研究用・工業用を選択

IBM-PCまたは互換機

通常70度にて固定します。

50・60・70・80どんお手動可変になります。

45~90度 0.01度ステップで設定が可能です。
5入射まで自動で測定を行えます。

サンプルの1点を測定させるためのステージです。
手動チルト・手動高さ調整機付き

手動θ-Yステージにて測定場所を決定します。
手動θ軸 ストローク:360度 目盛り無し
手動Y軸 ストローク:75mmマイクロメータ
ヘッド取り付け可能

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102SH

MARY-102SH

要見積もり

回転位相子法 (RQ法)

0.8mW HeNeレーザ (λ@632.8nm)

0.8mmφ

固定

手動θ-Y

Δ=±0.01°
ψ=±0.01°
@SiO2 (1,000Å) /Si

最小0.05秒

DOS/Vパソコン

300W×400D×450Hmm

研究用・工業用を選択

IBM-PCまたは互換機

通常70度にて固定します。

50・60・70・80どんお手動可変になります。

45~90度 0.01度ステップで設定が可能です。
5入射まで自動で測定を行えます。

サンプルの1点を測定させるためのステージです。
手動チルト・手動高さ調整機付き

手動θ-Yステージにて測定場所を決定します。
手動θ軸 ストローク:360度 目盛り無し
手動Y軸 ストローク:75mmマイクロメータ
ヘッド取り付け可能

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102SM

MARY-102SM

要見積もり

回転位相子法 (RQ法)

0.8mW HeNeレーザ (λ@632.8nm)

0.8mmφ

固定

手動θ-Y

Δ=±0.01°
ψ=±0.01°
@SiO2 (1,000Å) /Si

最小0.05秒

DOS/Vパソコン

300W×400D×450Hmm

研究用・工業用を選択

IBM-PCまたは互換機

通常70度にて固定します。

50・60・70・80どんお手動可変になります。

45~90度 0.01度ステップで設定が可能です。
5入射まで自動で測定を行えます。

サンプルの1点を測定させるためのステージです。
手動チルト・手動高さ調整機付き

手動θ-Yステージにて測定場所を決定します。
手動θ軸 ストローク:360度 目盛り無し
手動Y軸 ストローク:75mmマイクロメータ
ヘッド取り付け可能

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102FT

MARY-102FT

要見積もり

回転位相子法 (RQ法)

0.8mW HeNeレーザ (λ@632.8nm)

0.8mmφ

手動可変

固定

Δ=±0.01°
ψ=±0.01°
@SiO2 (1,000Å) /Si

最小0.05秒

DOS/Vパソコン

300W×400D×450Hmm

研究用・工業用を選択

IBM-PCまたは互換機

通常70度にて固定します。

50・60・70・80どんお手動可変になります。

45~90度 0.01度ステップで設定が可能です。
5入射まで自動で測定を行えます。

サンプルの1点を測定させるためのステージです。
手動チルト・手動高さ調整機付き

手動θ-Yステージにて測定場所を決定します。
手動θ軸 ストローク:360度 目盛り無し
手動Y軸 ストローク:75mmマイクロメータ
ヘッド取り付け可能

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102FH

MARY-102FH

要見積もり

回転位相子法 (RQ法)

0.8mW HeNeレーザ (λ@632.8nm)

0.8mmφ

手動可変

手動θ-Y

Δ=±0.01°
ψ=±0.01°
@SiO2 (1,000Å) /Si

最小0.05秒

DOS/Vパソコン

300W×400D×450Hmm

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IBM-PCまたは互換機

通常70度にて固定します。

50・60・70・80どんお手動可変になります。

45~90度 0.01度ステップで設定が可能です。
5入射まで自動で測定を行えます。

サンプルの1点を測定させるためのステージです。
手動チルト・手動高さ調整機付き

手動θ-Yステージにて測定場所を決定します。
手動θ軸 ストローク:360度 目盛り無し
手動Y軸 ストローク:75mmマイクロメータ
ヘッド取り付け可能

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102FM

MARY-102FM

要見積もり

回転位相子法 (RQ法)

0.8mW HeNeレーザ (λ@632.8nm)

0.8mmφ

手動可変

自動θ-Y

Δ=±0.01°
ψ=±0.01°
@SiO2 (1,000Å) /Si

最小0.05秒

DOS/Vパソコン

300W×400D×450Hmm

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通常70度にて固定します。

50・60・70・80どんお手動可変になります。

45~90度 0.01度ステップで設定が可能です。
5入射まで自動で測定を行えます。

サンプルの1点を測定させるためのステージです。
手動チルト・手動高さ調整機付き

手動θ-Yステージにて測定場所を決定します。
手動θ軸 ストローク:360度 目盛り無し
手動Y軸 ストローク:75mmマイクロメータ
ヘッド取り付け可能

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102MT

MARY-102MT

要見積もり

回転位相子法 (RQ法)

0.8mW HeNeレーザ (λ@632.8nm)

0.8mmφ

自動可変

固定

Δ=±0.01°
ψ=±0.01°
@SiO2 (1,000Å) /Si

最小0.05秒

DOS/Vパソコン

300W×400D×450Hmm

研究用・工業用を選択

IBM-PCまたは互換機

通常70度にて固定します。

50・60・70・80どんお手動可変になります。

45~90度 0.01度ステップで設定が可能です。
5入射まで自動で測定を行えます。

サンプルの1点を測定させるためのステージです。
手動チルト・手動高さ調整機付き

手動θ-Yステージにて測定場所を決定します。
手動θ軸 ストローク:360度 目盛り無し
手動Y軸 ストローク:75mmマイクロメータ
ヘッド取り付け可能

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102MH

MARY-102MH

要見積もり

回転位相子法 (RQ法)

0.8mW HeNeレーザ (λ@632.8nm)

0.8mmφ

自動可変

手動θ-Y

Δ=±0.01°
ψ=±0.01°
@SiO2 (1,000Å) /Si

最小0.05秒

DOS/Vパソコン

300W×400D×450Hmm

研究用・工業用を選択

IBM-PCまたは互換機

通常70度にて固定します。

50・60・70・80どんお手動可変になります。

45~90度 0.01度ステップで設定が可能です。
5入射まで自動で測定を行えます。

サンプルの1点を測定させるためのステージです。
手動チルト・手動高さ調整機付き

手動θ-Yステージにて測定場所を決定します。
手動θ軸 ストローク:360度 目盛り無し
手動Y軸 ストローク:75mmマイクロメータ
ヘッド取り付け可能

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102MM

MARY-102MM

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回転位相子法 (RQ法)

0.8mW HeNeレーザ (λ@632.8nm)

0.8mmφ

自動可変

自動θ-Y

Δ=±0.01°
ψ=±0.01°
@SiO2 (1,000Å) /Si

最小0.05秒

DOS/Vパソコン

300W×400D×450Hmm

研究用・工業用を選択

IBM-PCまたは互換機

通常70度にて固定します。

50・60・70・80どんお手動可変になります。

45~90度 0.01度ステップで設定が可能です。
5入射まで自動で測定を行えます。

サンプルの1点を測定させるためのステージです。
手動チルト・手動高さ調整機付き

手動θ-Yステージにて測定場所を決定します。
手動θ軸 ストローク:360度 目盛り無し
手動Y軸 ストローク:75mmマイクロメータ
ヘッド取り付け可能

非接触・非破壊にて測定可能 レーザーエリプソメータ (自動楕円偏光解析装置)-品番-MARY-102MCC

MARY-102MCC

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

ファイブラボ株式会社は1988年に設立した、光学機器及び装置の専門メーカーです。 光学機器や装置の開発・製造・販売をメインの事業として展開しており、光で膜の厚みなどを測定する装置であるエリプソンメーター、非接触で角度を...

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