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電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC NJG1802K51-NJG1802K51
電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC NJG1802K51-日清紡マイクロデバイス株式会社

電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC NJG1802K51
日清紡マイクロデバイス株式会社

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この製品について

■概要

NJG1802K51はLTE/UMTS/CDMA/GSM等の通信端末用途に最適なハイパワーSPDTスイッチです。本製品は切替電圧1.8Vに対応し、低損失、高アイソレーション、高線形性を2.7GHzまでカバーすることを特徴としています。 本製品は消費電流を削減するためにシャットダウン機能を有しています。保護素子を内蔵することにより高いESD耐圧を有しています。DCブロッキングキャパシタが不要であるため実装面積の縮小が可能です。

  • シリーズ

    電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC NJG1802K51

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電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC NJG1802K51 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) P-0.1dB (dBm) パワーレベル 挿入損失 周波数範囲 (GHz) 外形サイズ (mm) 低切替電圧 (V) 動作電圧 (V) 動作温度範囲 (℃) ジャンクション温度 (℃) パッケージ 低歪み 機能
電子デバイス製品 RFデバイス ハイパワーSPDTスイッチGaAs MMIC NJG1802K51-品番-NJG1802K51

NJG1802K51

要見積もり

Typ. 36

High Power

0.18dB/ 0.20dB/ 0.23dB typ. @f=0.9GHz/ 1.9GHz/ 2.7GHz

0.2 to 6

Typ. 2.0x2.0x0.375

VCTL (H) =1.8 typ.

VDD=2.7 typ.

-40 to 85

150

QFN12-51

IIP3=+73dBm typ. @f=829+849MHz, PIN=24dBm、IIP3=+73dBm typ. @f=1870+1910MHz, PIN=24dBm 等

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会社概要

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