電子デバイス製品 RFデバイスハイパワーDPDTスイッチGaAs MMIC NJG1814MD7
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この製品について

■概要NJG1812ME4は、LTE/UMTS/CDMA/GSM等の通信用途に最適なハイパワーDPDT スイッチです。特にアンテナ切替用途に適しています。本製品は切替電圧1.8Vに対応し、低挿入損失、低歪み、高線形特性を3GHzまでカバーすることを特長とします。

本製品は内蔵ESD 保護素子により高ESD 耐圧を有します。本製品はDC カットキャパシタが不要です。EQFN12-E4 パッケージを採用し、小型・薄型化を実現します｡

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
電子デバイス製品 RFデバイスハイパワーDPDTスイッチGaAs MMIC NJG1814MD7

取扱企業
日清紡マイクロデバイス株式会社

カテゴリ

集積回路

MMIC

スイッチ

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スイッチ

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電子デバイス製品 RFデバイスハイパワーDPDTスイッチGaAs MMIC NJG1814MD7 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	P-0.1dB (dBm)	パワーレベル	挿入損失	周波数範囲 (GHz)	外形サイズ (mm)	低切替電圧 (V)	動作電圧 (V)	動作温度範囲 (℃)	ジャンクション温度 (℃)	パッケージ	備考	機能
	NJG1812ME4	要見積もり	Typ. 36	High Power	0.25dB typ. @f=900MHz, PIN=+35dBm、0.35dB typ. @f=1,900Hz, PIN=+33dBm 等	0.2 to 3	Typ. 2.0x2.0x0.397	VCTL (H) =1.35 to 5.0	VDD=2.7 typ.	-40 to 105	150	EQFN12-E4	2nd harmonics=-89dBm typ. @ f=786.5MHz, PIN=+23dBm、3rd harmonics=-89dBm typ. @ f=710MHz, PIN=+23dBm	DPDTスイッチ