ナノパターン露光装置 PhableR 100
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この製品について

PhableR100はタルボ効果を用いることにより周期構造に対して ハーフピッチ150nmの微細で一括露光できる特殊な装置です。 電子ビーム描画レベルの解像度で周期性をもったデバイス開発されているお客様にリーズナブルに導入することが可能となりました。 DUV光源選択時にはハーフピッチ75nmの一括露光を実現します。

■ナノパターニング技術とはナノメートルは、10-9メートル (m) ＝10億分の1メートルの長さの単位です。現在の電子デバイスでは、ナノメートル領域の技術が使われており、半導体産業ではナノテクノロジーという言葉が一般的に用いられるようになっています。このようなナノメートルの領域でパターン加工する技術には、電子ビーム、リソグラフィ、ナノインプリント、自己組織化などいくつかの方法が実用化されていますが、極小の加工を実現する上では、位置精度、再現性、コスト、加工時間など様々な課題があります。

■PhableR 100は、300nmピッチ以下の高解像度を実現PhableR 100 は、EULITHA社独自の露光技術であるPHABLE (Photonics Enablerの短縮形) に基づいたシステムであり、高解像度の周期的構造の、ノンコンタクトのプロキシミティ露光を可能とします。
・PhablerR 100は、本質的にDUV投影露光システムと同等の解像度を、複雑で高価な光学系や機械構造なしに実現します。
・一般的なマスクアライナーが1-2umの解像度に留まるのに対し、ハーフピッチ150nmのリニアグレーティングが高い均一性で作成可能です。
・リニアまたは曲面グレーティングや、六角形/四角形のシンメトリーな2Dフォトニック結晶パターンが300nm以下の周期で転写出来ます。
・全面露光
・マスクと基板は手動で装置にセットされ、露光プロセスは搭載されたコンピュータによって制御されます。

■ノンコンタクト　マスクをダメージやコンタミネーションから保護プロキシミティまたはコンタクトモードにすれば通常のマスクアライナーとしても使用でき、ミクロンスケールの構造も転写可能です。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
ナノパターン露光装置 PhableR 100

取扱企業
株式会社協同インターナショナル

カテゴリ

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商品画像	品番	価格 (税抜)	解像度	基板サイズ	マスクフォーマット	照度均一性	ピッチレンジ	レジスト厚	オペレーション	コントロール
	PhableR 100	要見積もり	150nm ハーフピッチ (リニアグレーティング) DUV光源選択時　75nmハーフピッチ (リニアグレーティング)	~φ100mm	5"	＜3%	300nm~3µm (DUV光源選択時　150nm~)	1µm程度	手動ローディング – 自動露光	タッチパネル