ナノパターン露光装置 PhableR 100-PhableR 100
ナノパターン露光装置 PhableR 100-株式会社協同インターナショナル

ナノパターン露光装置 PhableR 100
株式会社協同インターナショナル



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この製品について

PhableR100はタルボ効果を用いることにより周期構造に対して ハーフピッチ150nmの微細で一括露光できる特殊な装置です。 電子ビーム描画レベルの解像度で周期性をもったデバイス開発されているお客様にリーズナブルに導入することが可能となりました。 DUV光源選択時にはハーフピッチ75nmの一括露光を実現します。

■ナノパターニング技術とは

ナノメートルは、10-9メートル (m) =10億分の1メートルの長さの単位です。現在の電子デバイスでは、ナノメートル領域の技術が使われており、半導体産業ではナノテクノロジーという言葉が一般的に用いられるようになっています。このようなナノメートルの領域でパターン加工する技術には、電子ビーム、リソグラフィ、ナノインプリント、自己組織化などいくつかの方法が実用化されていますが、極小の加工を実現する上では、位置精度、再現性、コスト、加工時間など様々な課題があります。

■PhableR 100は、300nmピッチ以下の高解像度を実現

PhableR 100 は、EULITHA社独自の露光技術であるPHABLE (Photonics Enablerの短縮形) に基づいたシステムであり、高解像度の周期的構造の、ノンコンタクトのプロキシミティ露光を可能とします。 ・PhablerR 100は、本質的にDUV投影露光システムと同等の解像度を、複雑で高価な光学系や機械構造なしに実現します。 ・一般的なマスクアライナーが1-2umの解像度に留まるのに対し、ハーフピッチ150nmのリニアグレーティングが高い均一性で作成可能です。 ・リニアまたは曲面グレーティングや、六角形/四角形のシンメトリーな2Dフォトニック結晶パターンが300nm以下の周期で転写出来ます。 ・全面露光 ・マスクと基板は手動で装置にセットされ、露光プロセスは搭載されたコンピュータによって制御されます。

■ノンコンタクト マスクをダメージやコンタミネーションから保護

プロキシミティまたはコンタクトモードにすれば通常のマスクアライナーとしても使用でき、ミクロンスケールの構造も転写可能です。

  • シリーズ

    ナノパターン露光装置 PhableR 100

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ナノパターン露光装置 PhableR 100 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 解像度 基板サイズ マスクフォーマット 照度均一性 ピッチレンジ レジスト厚 オペレーション コントロール
ナノパターン露光装置 PhableR 100-品番-PhableR 100

PhableR 100

要見積もり 150nm ハーフピッチ (リニアグレーティング) DUV光源選択時 75nmハーフピッチ (リニアグレーティング) ~φ100mm 5" <3% 300nm~3µm (DUV光源選択時 150nm~) 1µm程度 手動ローディング – 自動露光 タッチパネル

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株式会社協同インターナショナルは、業種に拘わらずオンリーワンの製品を通して企業の抱える課題解決策を提案することを企業理念に、 業種、業態、国境の壁を越えた事業を手掛けています。 半導体に関するビジネスを中心に研究開発か...

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