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返答時間
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測定方式
回転検光子法
測定膜厚範囲 (nd)
0.1nm~1μm
入射 (反射) 角度範囲
45~90°
入射 (反射) 角度駆動方式
自動サインバー駆動方式
tanψ測定正確さ
±0.01以下
cosΔ測定正確さ
±0.01以下
膜厚の繰り返し再現性
0.01%以下
波長範囲
300~800nm
測定用光源
高安定キセノンランプ
ステージ駆動方式
手動/自動
型番
FE-5000 series取扱企業
大塚電子株式会社カテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 測定方式 | 測定膜厚範囲 (nd) | 入射 (反射) 角度範囲 | 入射 (反射) 角度駆動方式 | tanψ測定正確さ | cosΔ測定正確さ | 膜厚の繰り返し再現性 | 波長範囲 | 測定用光源 | ステージ駆動方式 |
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要見積もり | 回転検光子法 | 0.1nm~1μm | 45~90° | 自動サインバー駆動方式 | ±0.01以下 | ±0.01以下 | 0.01%以下 | 300~800nm | 高安定キセノンランプ | 手動/自動 |
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使用用途
#半導体膜評価 #ディスプレイ膜評価 #光学コーティング評価 #太陽電池研究 #高分子解析測定方式
スペクトル型 回転子型 イメージング型光源波長
単色型 可視型 紫外型 赤外型 広帯域型構造特性
卓上型 大型装置組込型 ポータブル型 真空対応型機能特性
高速測定型 高精度型 マルチスポット型 オートアライメント型膜厚範囲 nm
0 - 10 10 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000入射角度 °
20 - 40 40 - 60 60 - 80 80 - 100スポット径 mm
0 - 1 1 - 5 5 - 10サンプルステージ mm
100 - 150 150 - 210光源
ヘリウムネオンレーザー キセノンランプ 半導体レーザー測定時間 ms
0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 3,000
