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パワーMOSFET EETMOS2シリーズ P60B4EL-新電元工業株式会社

全型番で同じ値の指標

極性

N-channel

ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

40

ドレイン電流 (直流) ID (A)

60

全損失 PT (W)

62.5

チャネル温度 Tch (℃)

150

ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ.) (Ω)

記号:RDS (ON) 0.0033

入力容量 Ciss (typ.) (pF)

2,900

ゲート全電荷量 Qg (typ,) (nC)

57

ゲートしきい値電圧 Vth (typ.) (V)

2

パッケージ (ハウスネーム)

FB

パッケージ (JEDECコード)

TO-252AA

シリーズ

EETMOS2

保存温度 Tstg (℃)

-55 to 150

ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)

±20

この製品について

当社のMOSFETは、低耐圧から高耐圧まで幅広いラインナップを揃えています。

■EETMOSシリーズ (Nchシングル/VDSS 40〜150V) :トレンチゲート構造・レイアウトの最適化によりQgを低減し、業界トップレベルの性能を有します。

・EETMOS2:Ron、Qgバランス型 ・EETMOS3:低Ron、低Qg ・EETMOS4:超低Ron、低Qg

■Hi-PotMOSシリーズ (Nchシングル/VDSS 250〜600V) :業界トップレベルの高破壊耐量を持ち、di/dtおよびアバランシェの全数選別を実施しています。

・Hi-PotMOS:高破壊耐量 (アバランシェ保証、di/dt全数選別対応) ・VX3:車載対応、高破壊耐量 (アバランシェ保証、di/dt全数選別対応、高ESD耐量)

■特長

・N-channel ・面実装タイプ ・低オン抵抗 ・4.5V駆動 ・低容量 ・端子Pb free

  • 型番

    P60B4EL

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パワーMOSFET EETMOS2シリーズ P60B4EL P60B4ELの性能表

商品画像 価格 (税抜) 極性 ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) ドレイン電流 (直流) ID (A) 全損失 PT (W) チャネル温度 Tch (℃) ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ.) (Ω) 入力容量 Ciss (typ.) (pF) ゲート全電荷量 Qg (typ,) (nC) ゲートしきい値電圧 Vth (typ.) (V) パッケージ (ハウスネーム) パッケージ (JEDECコード) シリーズ 保存温度 Tstg (℃) ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)
パワーMOSFET EETMOS2シリーズ P60B4EL-品番-P60B4EL 要見積もり N-channel 40 60 62.5 150 記号:RDS (ON)
0.0033
2,900 57 2 FB TO-252AA EETMOS2 -55 to 150 ±20

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電圧 V

-50 - 0 0 - 10 10 - 50 50 - 200 200 - 500 500 - 700 700 - 1,300

電流 A

-35 - -1 -1 - 1 1 - 10 10 - 20 20 - 60 60 - 110 110 - 160

オン抵抗 mΩ

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 5,000 5,000 - 10,000 10,000 - 25,000

Ciss pF

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 7,000

ID 最大値 A

-50 - 0 0 - 10 10 - 100 100 - 150

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会社概要

新電元工業株式会社は、東京都千代田区に本社を置く、半導体、電装製品、電源の製造及び販売を主な事業内容とする企業である。 1949年、設立。 1958年、株式公開、東京証券取引所場外店頭銘柄として売買開始。 1961年、...

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  • 本社所在地: 東京都

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